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國芯思辰|基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-07-25 13:47 ? 次閱讀
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PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源(特別是通信電源)中?,F(xiàn)階段,PFC電路多采用硅基材料,由于硅基材料的限制,電源的損耗較大,效率偏低。

在電源的PFC電路中,將硅基肖特基二極管直接替換為碳化硅肖特基二極管,可以減小損耗,減小了對周圍電路的電磁干擾,提高電源的可靠性,滿足嚴(yán)格的電源能效認(rèn)證要求。

一般來說,我們都希望在單相PFC電路中的二極管D1的反向恢復(fù)時(shí)間越短越好。上圖PFC的二極管反向恢復(fù)損耗會(huì)引發(fā)MOSFET的開通損耗,也會(huì)產(chǎn)生電磁干擾。因此,在一個(gè)通信電源的PFC電路中,我們使用碳化硅肖特基B1D20065K來替代普通的二極管。

B1D20065K采用TO-220-2封裝,是650V 20A的碳化硅肖特基二極管,具體參數(shù)如下:

反向重復(fù)峰值電壓(VRRM):650V

反向浪涌峰值電壓(VRSM):650V

正向平均電流(IF):20A

正向不重復(fù)峰值電流(IFSM):150A

耗散功率(Ptot):235W

工作溫度(Tj):-55~175℃

正向壓降(VF):1.42V@6A

反向電流(IR):1μA@650V

總存儲(chǔ)電荷(QC):64nC

B1D20065K的總電容電荷Qc為64nC,極小的反向恢復(fù)電荷,實(shí)現(xiàn)高速開關(guān),同時(shí)降低開關(guān)損耗,有效提高電源整體系統(tǒng)效率。

此外,B1D20065K可替代完美科銳的CVFD20065A、羅姆的SCS220AG、英飛凌的IDH20G65C5、意法半導(dǎo)體的STPSC20065D以及安森美的FFSP2065A,是一個(gè)非常理想的PFC電路應(yīng)用解決方案。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

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