華為技術(shù)有限公司最近新增了多項專利信息。其中兩個專利名稱是“芯片包裝結(jié)構(gòu)、制造方法及終端設(shè)備”，分別為cn116648780a和cn116670808a。

cn116648780a專利芯片封裝結(jié)構(gòu)的第一個，第二個芯片，第一個布線層和第二個布線層和垂直硅橋；其中第一芯片和垂直硅硅橋梁并排在第一中間配線設(shè)在樓，第二中間配線層是垂直硅橋梁和第一芯片，第二中間配線層設(shè)置，第一芯片第一雙重連接到布線層，第二芯片第二雙重連接在電線上。垂直硅橋有硅通孔，垂直硅橋為完成高密度線，在無源晶圓上準備了大量硅通孔，成熟的技術(shù)、穩(wěn)定性和信賴性高，沒有斷裂或短路的危險。第二芯片通過第二層襯墊層、硅孔、第一層襯墊層和第一芯片的垂直相互連接，垂直硅橋內(nèi)的硅孔大小可以與第二芯片的物理通道大小相匹配，實現(xiàn)高密度信號相互連接。

cn116670808a專利芯片包裝結(jié)構(gòu)如下。芯片的表面有多個導(dǎo)電的電路板，有多個顛倒孜上面放著多個凸塊結(jié)構(gòu)，多個凸塊結(jié)構(gòu)中的每一凸塊結(jié)構(gòu)中，金屬層和金屬層上放著一個或多個焊接蓋，又包括多個凸塊結(jié)構(gòu)中至少一個凸塊結(jié)構(gòu)的金屬層之上有設(shè)有多個焊接蓋。申請實施例中提供的芯片結(jié)構(gòu)中至少一個凸塊結(jié)構(gòu)的各種焊接金屬層設(shè)置的帽子，芯片可以增加凸塊結(jié)構(gòu)按使用面積比率的玻璃制造過程分散在密封包裝的凸塊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體內(nèi)部的壓力也可能會進一步增加凸塊結(jié)構(gòu)的冷卻能力和通電流的能力。