據(jù)路透報導，有消息人士透露，臺積電對在日本九州島建立晶圓制造中心充滿信心，可望如期于2024年開始生產(chǎn)成熟制程的芯片。并且，臺積電正考慮增加產(chǎn)能并在日本建造第二座晶圓廠，生產(chǎn)更先進的芯片。而在美國亞利桑那州，臺積電計劃在當?shù)厣a(chǎn)先進芯片，但因缺乏專業(yè)工人，不得不將投產(chǎn)的時程延后一年至2025年。

對于該報道，臺積電13日回應，強調臺積亞利桑那州晶圓廠、在熊本興建中的晶圓廠，以及將在德國建造的晶圓廠三者在廠區(qū)地理位置、建置規(guī)劃和規(guī)模均不一樣，就本質而言無法相比。

臺積電強調，臺積拓展全球制造版圖是基于客戶需求、市場商機、營運效率、和成本經(jīng)濟等多方面之考慮，目前臺積電投資的地區(qū)都是為支持客戶需求，并應對半導體技術長期需求的結構性成長。

日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省相關人士表示：「在我們看來，臺積電對在日本投資相當樂觀。我們非常歡迎增設第二座晶圓廠的計劃，但需要先了解詳情?！菇?jīng)產(chǎn)省已提供臺積電第一座晶圓廠高達4,760億日元（32.3億美元）補貼。

除了建廠傳言以外，臺積電近期的兩筆投資也頗受關注。

一筆是以不超過4.328億美元（約新臺幣138.5億元）額度內，從英特爾手中取得奧地利半導體設備商IMS的10%股權。第二筆是以不超過1億美元（約新臺幣31.95億元）的額度，認購日本軟銀集團旗下的半導體IP大廠Arm 的普通股股票。

分析師郭明錤指出，臺積電這兩筆投資主要目的為提高垂直整合能力，以確保從目前3nm的FinFET技術能順利轉換到2nm的GAA技術。其中，投資IMS可確保關鍵設備的技術開發(fā)與供應能滿足2nm商用化的需求。

IMS Nanofabrication于1985年在維也納成立，是一家多電子束直寫光刻設備廠商，產(chǎn)品主要應用于先進工藝節(jié)點光刻掩模制造。在芯片制造的過程中，IMS提供的多光束掩模寫入機也尤為重要。簡單來說，如果沒有IMS Nanofabrication的掩模寫入器，所有EUV工藝技術都將陷入停頓。EUV工藝技術被用于7nm以來的所有臺積電、英特爾的工藝節(jié)點。另外，三星的所有邏輯工藝技術都使用了EUV。

而對于臺積電入股ARM，分析郭明錤認為，臺積電可通過投資Arm，與后者進行更緊密的合作，有助于在臺積電的先進制程與封裝技術上針對 Arm IP 進行優(yōu)化。

臺積電董事長劉德音就曾說：“Arm是我們生態(tài)系統(tǒng)、技術和客戶生態(tài)系統(tǒng)的重要組成部分。我們希望它取得成功，并保持健康。”

此外，最快在 2026 年，2納米技術將分別用于蘋果iPhone處理器和英偉達B100 AI芯片的生產(chǎn)上。蘋果和英偉達也都是Arm本次IPO的基石投資者。故臺積電投資Arm有利強化與蘋果、英偉達的合作并爭取 2nm 訂單。