chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么MOS管做恒流源時(shí),L至少是工藝最小L的3到5倍?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-20 16:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

為什么MOS管做恒流源時(shí),L至少是工藝最小L的3到5倍?

MOS管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用于各種電路中,其中恒流源是其最常見(jiàn)的應(yīng)用之一。在制作MOS管的過(guò)程中,L是重要的工藝參數(shù)之一。通常情況下,當(dāng)MOS管做恒流源時(shí),L至少是工藝最小L的3到5倍。那么為什么要這樣做呢?

wKgaomUKsgGASHWBAABZPYf4p6k815.jpg

首先,讓我們了解一下什么是恒流源。恒流源是一種電流穩(wěn)定器,它可以在電路中提供一個(gè)穩(wěn)定的電流。MOS管可以通過(guò)負(fù)反饋電路實(shí)現(xiàn)恒流源的功能,其原理是將MOS管的柵極和漏極之間串聯(lián)一個(gè)電阻,使得電流通過(guò)這個(gè)電阻時(shí),MOS管的柵極電壓與漏極電壓之差保持恒定,從而使得電流也保持穩(wěn)定。在這種情況下,MOS管的負(fù)載特性非常重要,如果L過(guò)小,則容易導(dǎo)致 load line 不穩(wěn)定,從而引起恒流源功能的失真。

其次,L的大小直接影響著MOS管的電性能,在MOS管中,L是溝道長(zhǎng)度,當(dāng)L減小時(shí),MOS管的溝道出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,從而導(dǎo)致電性能的變差。例如,在工藝最小L下制作的MOS管,其溝道長(zhǎng)度非常短,這會(huì)導(dǎo)致漏電流增加,從而影響恒流源的準(zhǔn)確性。因此,在制作MOS管時(shí),必須要保證足夠的溝道長(zhǎng)度才能獲得良好的電性能和恒流源的穩(wěn)定性。

此外,L的大小也會(huì)影響到MOS管的可靠性。在MOS管中,溝道的長(zhǎng)度越短,漏電流就會(huì)越大。這容易導(dǎo)致熱效應(yīng),使得MOS管發(fā)熱、壽命縮短。為了保證MOS管的可靠性,在制作過(guò)程中需要用足夠的L來(lái)增加管子的可靠性。

綜上所述,為了保證MOS管在實(shí)現(xiàn)恒流源時(shí)具有優(yōu)良的電性能和可靠性,必須要采用足夠大的溝道長(zhǎng)度。當(dāng)L至少是工藝最小L的3到5倍時(shí),可以保證MOS管具有穩(wěn)定的恒流源功能、良好的電性能和可靠的工作壽命。

總之,MOS管是一種非常重要的半導(dǎo)體器件,在電路中有廣泛的應(yīng)用。恒流源是MOS管最常見(jiàn)的應(yīng)用之一,要想保證MOS管的恒流源功能穩(wěn)定,必須要采用足夠大的溝道長(zhǎng)度。希望本文對(duì)您有所啟發(fā)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 反饋電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    149

    瀏覽量

    37961
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    110

    文章

    2695

    瀏覽量

    73440
  • 恒流源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    341

    瀏覽量

    57689
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    100V200V250V MOS詳解 -HCK450N25L

    較強(qiáng)的抗輻射性能,適用于特殊環(huán)境。 應(yīng)用領(lǐng)域 MOS廣泛應(yīng)用于模擬電路、數(shù)字電路及功率電路等領(lǐng)域。憑借其高輸入阻抗、制造工藝簡(jiǎn)單和設(shè)計(jì)靈活等優(yōu)勢(shì),
    發(fā)表于 08-29 11:20

    地平線的L3判斷與實(shí)踐路徑

    在智能駕駛演進(jìn)過(guò)程中,L3/L4/L5等“高級(jí)別自動(dòng)駕駛”的持續(xù)探索成為行業(yè)焦點(diǎn),圍繞其實(shí)現(xiàn)路徑、驗(yàn)證方式與工程落地的討論也在持續(xù)深化。
    的頭像 發(fā)表于 06-27 09:39 ?1053次閱讀

    mos柵極串聯(lián)電阻

    本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS設(shè)計(jì)中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性,提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn),但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗
    的頭像 發(fā)表于 06-27 09:13 ?585次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>柵極串聯(lián)電阻

    MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS

    在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),經(jīng)常會(huì)用到MOS開(kāi)關(guān)電路,而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS,而是在MCU和大功率
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:27 ?2307次閱讀
    MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    Sky5? GNSS L1 L5 雙頻低噪聲放大器前端模塊,帶后置濾波器 skyworksinc

    的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,Sky5? GNSS L1 L5 雙頻低噪聲放大器前端模塊,帶后置濾波器真值表,Sky5? GNSS
    發(fā)表于 05-14 18:32
    Sky<b class='flag-5'>5</b>? GNSS <b class='flag-5'>L</b>1 <b class='flag-5'>L5</b> 雙頻低噪聲放大器前端模塊,帶后置濾波器 skyworksinc

    ZSKY-D882-SOT-89-3L NPN硅功率晶體規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-D882-SOT-89-3L NPN硅功率晶體規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-14 17:21 ?0次下載

    L0L5自動(dòng)駕駛技術(shù)的演進(jìn)階段

    高盛(Goldman Sachs)估計(jì),2030年,L3級(jí)自動(dòng)駕駛汽車或占全球新車銷量的10%。自動(dòng)駕駛汽車需要經(jīng)過(guò)多達(dá)6個(gè)層級(jí)的技術(shù)演進(jìn),才能最終實(shí)現(xiàn)上路自主駕駛。
    的頭像 發(fā)表于 04-24 10:42 ?1007次閱讀

    MOS管制造工藝流程解析

    隨著新能源汽車、5G、AI等新型應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā),MOS在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景需求也隨之激增,國(guó)產(chǎn)替代加速,對(duì)MOS
    的頭像 發(fā)表于 04-08 11:27 ?1313次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b>管制造<b class='flag-5'>工藝</b>流程解析

    AN184 從GD32L233系列移植GD32L235系列

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN184 從GD32L233系列移植GD32L235系列.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-21 17:44 ?2次下載
    AN184 從GD32<b class='flag-5'>L</b>233系列移植<b class='flag-5'>到</b>GD32<b class='flag-5'>L</b>235系列

    如何采購(gòu)高性能的MOS?

    在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中,MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響整個(gè)電路的穩(wěn)定性和效率。因此,在采購(gòu)高性能MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-19 14:22 ?810次閱讀
    如何采購(gòu)高性能的<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>?

    如何測(cè)試mos的性能 mos在電機(jī)控制中的應(yīng)用

    。 測(cè)量漏極(D)與源極(S)之間的電阻,正常情況下應(yīng)為無(wú)窮大(MOS處于斷開(kāi)狀態(tài))。 測(cè)量柵極(G)與漏極、柵極與源極之間的電阻,正常情況下也應(yīng)為無(wú)窮大。 閾值電壓測(cè)試 : 閾值電壓是MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-15 11:09 ?3502次閱讀

    如何優(yōu)化MOS散熱設(shè)計(jì)

    原理 MOS的散熱主要依賴于熱傳導(dǎo)、熱對(duì)流和熱輻射三種方式。 2.1 熱傳導(dǎo) 熱傳導(dǎo)是指熱量通過(guò)材料內(nèi)部分子振動(dòng)傳遞的過(guò)程。對(duì)于MOS,熱量主要從芯片傳遞
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:05 ?4216次閱讀

    高功率MOS的選擇指南

    溝道MOS。 P溝道MOS :當(dāng)MOS連接到總線且負(fù)載接地時(shí),應(yīng)選用P溝道
    的頭像 發(fā)表于 11-05 13:40 ?1835次閱讀

    MOS寄生參數(shù)的定義與分類

    MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中,除MOS基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、
    的頭像 發(fā)表于 10-29 18:11 ?3166次閱讀

    100VMOS-100V3A/5A/8A/10A/15A/40A N通道MOS和P通道MOS 皮實(shí)耐抗 性價(jià)比高

    ?搭配恒壓或恒流芯片?:惠海MOS(如3400、5N03、30N06、50N06、5N10、45N10等)與惠海的恒壓芯片(如H6201L
    發(fā)表于 10-28 11:07