chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英特爾展示先進(jìn)玻璃基板封裝工藝,目標(biāo)實(shí)現(xiàn)單一封裝萬億晶體管

產(chǎn)業(yè)大視野 ? 來源:產(chǎn)業(yè)大視野 ? 2023-09-20 17:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月18日,英特爾宣布推出業(yè)界首款用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板,計(jì)劃在2026年至2030年量產(chǎn)。

這一突破性成就將使單一封裝納入更多的晶體管,并繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律,促成以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用。市場人士表示,英特爾在這方面的突破,也將使得近期市場上討論度很高的硅光子技術(shù)發(fā)展有了重要的進(jìn)展。

英特爾介紹稱,與目前主流的有機(jī)基板相比,玻璃具有獨(dú)特的特性,例如超低平坦度、更好的熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性,從而使基板中的互連密度更高。這些優(yōu)勢將使芯片架構(gòu)師能夠?yàn)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/150/" target="_blank">人工智能(AI)等數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載創(chuàng)建高密度、高性能芯片封裝。

另外,到2030年之前,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很可能會(huì)達(dá)到使用有機(jī)材料在硅封裝上延展晶體管數(shù)量的極限,有機(jī)材料不僅更耗電,并且有著膨脹與翹曲等限制。半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展依賴不斷延展,而玻璃基板是下一代半導(dǎo)體確許可行且不可或缺的進(jìn)展。而隨著對(duì)更強(qiáng)大運(yùn)算的需求增加,以及半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入在一個(gè)封裝中使用多個(gè)“小芯片”(chiplets)的異質(zhì)架構(gòu)時(shí)代,提升信號(hào)傳輸速度、功率傳輸、設(shè)計(jì)規(guī)則和封裝基板穩(wěn)定度將至關(guān)重要。

英特爾指出,而與如今使用的有機(jī)基板相比,玻璃基板具有卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)特性,在單一封裝中可連接更多晶體管,提高延展性并能夠組裝更大的小芯片復(fù)合體(稱為“系統(tǒng)級(jí)封裝”)。芯片架構(gòu)師將能夠在一個(gè)封裝上以更小的面積封裝更多芯片塊(也稱為小芯片),同時(shí)以更高的彈性和更低的總體成本和功耗實(shí)現(xiàn)性能和增加密度。因此,玻璃基板將最先被導(dǎo)入效用最顯著的市場,也就是需要更大體積封裝(即數(shù)據(jù)中心、AI、繪圖處理)和更高速度的應(yīng)用和工作上。

d41c0bf2-5797-11ee-939d-92fbcf53809c.png

事實(shí)上,玻璃基板可以承受更高的溫度,圖案變形(pattern distortion)降低50%,超低平坦度可加大微影制程的焦距深度,并且具有極其緊密的層間互聯(lián)覆蓋所需的尺寸穩(wěn)定性。由于這些獨(dú)特的特性,玻璃基板上的互聯(lián)密度可以提高10倍。此外,玻璃的機(jī)械特性更高,可以實(shí)現(xiàn)高組裝良率的超大型封裝。

而且,玻璃基板的高溫耐受度,讓芯片架構(gòu)師在制定功率傳輸和信號(hào)路由的設(shè)計(jì)規(guī)則時(shí)保有彈性,能夠無縫集成光學(xué)互聯(lián),以及在更高溫度制程下將電感器電容器嵌入到玻璃中加工。如此可以提供更好的功率傳輸解決方案,不僅大幅降低功耗且能實(shí)現(xiàn)所需的高速信號(hào)傳輸。上述諸多優(yōu)勢有助于半導(dǎo)體業(yè)更接近2030年在單一封裝納入1兆個(gè)晶體管的目標(biāo)。

英特爾已在玻璃基板技術(shù)上投入了大約十年時(shí)間,目前在美國亞利桑那州擁有一條完全集成的玻璃研發(fā)線。該公司表示,這條生產(chǎn)線的成本超過10億美元,為了使其正常運(yùn)行,需要與設(shè)備和材料合作伙伴合作,建立一個(gè)完整的生態(tài)系統(tǒng)。業(yè)內(nèi)只有少數(shù)公司能夠負(fù)擔(dān)得起此類投資,而英特爾似乎是迄今為止唯一一家開發(fā)出玻璃基板的公司。

與任何新技術(shù)一樣,玻璃基板的生產(chǎn)和封裝成本將比經(jīng)過驗(yàn)證的有機(jī)基板更昂貴。英特爾目前還沒有談?wù)摦a(chǎn)量。如果產(chǎn)品開發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行,該公司打算在本十年晚些時(shí)候開始出貨。第一批獲得玻璃基板處理的產(chǎn)品將是其規(guī)模最大、利潤最高的產(chǎn)品,例如高端HPC(高性能計(jì)算)和AI芯片,隨后逐步推廣到更小的芯片中,直到該技術(shù)可用于英特爾的普通消費(fèi)芯片。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英特爾
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    10275

    瀏覽量

    179324
  • 玻璃基板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    102

    瀏覽量

    11022
  • 封裝工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    68

    瀏覽量

    8250

原文標(biāo)題:英特爾展示先進(jìn)玻璃基板封裝工藝,目標(biāo)實(shí)現(xiàn)單一封裝萬億晶體管

文章出處:【微信號(hào):robotn,微信公眾號(hào):產(chǎn)業(yè)大視野】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    五家大廠盯上,英特爾EMIB成了?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,英特爾EMIB封裝火了,在蘋果、高通、博通的招聘信息中,都指出正在招募熟悉EMIB封裝的工程師。近期還有消息稱,由于臺(tái)積電CoWoS 先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 12-06 03:48 ?4776次閱讀

    18A工藝大單!英特爾將代工微軟AI芯片Maia 2

    。 ? 英特爾18A工藝堪稱芯片制造領(lǐng)域的項(xiàng)重大突破,處于業(yè)界2納米級(jí)節(jié)點(diǎn)水平。它采用了兩項(xiàng)極具創(chuàng)新性的基礎(chǔ)技術(shù)——RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技
    的頭像 發(fā)表于 10-21 08:52 ?4666次閱讀

    代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    ,10埃)開始直使用到A7代。 從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下代互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管(CFET)的生產(chǎn)。 目前,領(lǐng)先的芯片制造商——
    發(fā)表于 06-20 10:40

    英特爾先進(jìn)封裝,新突破

    英特爾在技術(shù)研發(fā)上的深厚底蘊(yùn),也為其在先進(jìn)封裝市場贏得了新的競爭優(yōu)勢。 英特爾此次的重大突破之是 EMIB-T 技術(shù)。EMIB-T 全稱
    的頭像 發(fā)表于 06-04 17:29 ?778次閱讀

    英特爾持續(xù)推進(jìn)核心制程和先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新,分享最新進(jìn)展

    ,英特爾代工已取得重要里程碑。例如,Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,并計(jì)劃于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。這節(jié)點(diǎn)采用了PowerVia背面供電技術(shù)和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-09 11:42 ?570次閱讀
    <b class='flag-5'>英特爾</b>持續(xù)推進(jìn)核心制程和<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)創(chuàng)新,分享最新進(jìn)展

    玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用

    自集成電路誕生以來,摩爾定律直是其發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)摩爾定律,集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每18到24個(gè)月翻番,性能也隨之提升。然而,隨著晶體管尺寸的不斷縮小,制造
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:53 ?2430次閱讀
    <b class='flag-5'>玻璃</b><b class='flag-5'>基板</b>在芯片<b class='flag-5'>封裝</b>中的應(yīng)用

    芯片封裝工藝詳解

    封裝工藝正從傳統(tǒng)保護(hù)功能向系統(tǒng)級(jí)集成演進(jìn),其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導(dǎo)體芯片通過特定工藝
    的頭像 發(fā)表于 04-16 14:33 ?1927次閱讀

    英特爾先進(jìn)封裝:助力AI芯片高效集成的技術(shù)力量

    ),以靈活性強(qiáng)、能效比高、成本經(jīng)濟(jì)的方式打造系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。因此,越來越多的AI芯片廠商青睞這項(xiàng)技術(shù)。 英特爾自本世紀(jì)70年代起持續(xù)創(chuàng)新,深耕封裝技術(shù),積累了超過50年的豐富經(jīng)驗(yàn)。面向AI時(shí)代,英特爾正在與生態(tài)系統(tǒng)伙伴、
    的頭像 發(fā)表于 03-28 15:17 ?658次閱讀
    <b class='flag-5'>英特爾</b><b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>:助力AI芯片高效集成的技術(shù)力量

    英特爾18A與臺(tái)積電N2工藝各有千秋

    TechInsights分析,臺(tái)積電N2工藝晶體管密度方面表現(xiàn)突出,其高密度(HD)標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度高達(dá)313MTr/mm2,遠(yuǎn)超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和
    的頭像 發(fā)表于 02-17 13:52 ?995次閱讀

    迎接玻璃基板時(shí)代:TGV技術(shù)引領(lǐng)下先進(jìn)封裝發(fā)展

    在AI高性能芯片需求的推動(dòng)下,玻璃基板封裝被寄予厚望。據(jù)Prismark統(tǒng)計(jì),預(yù)計(jì)2026年全球IC封裝基板行業(yè)規(guī)模將達(dá)到214億美元,而隨
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:32 ?2269次閱讀
    迎接<b class='flag-5'>玻璃</b><b class='flag-5'>基板</b>時(shí)代:TGV技術(shù)引領(lǐng)下<b class='flag-5'>一</b>代<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>發(fā)展

    玻璃基芯片先進(jìn)封裝技術(shù)會(huì)替代Wafer先進(jìn)封裝技術(shù)嗎

    封裝方式的演進(jìn),2.5D/3D、Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)市場規(guī)模逐漸擴(kuò)大。 傳統(tǒng)有機(jī)基板先進(jìn)封裝
    的頭像 發(fā)表于 01-09 15:07 ?2935次閱讀
    <b class='flag-5'>玻璃</b>基芯片<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)會(huì)替代Wafer<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)嗎

    詳細(xì)解讀英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)

    (SAMSUNG)了。 隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,芯片制造和封裝測試逐漸融合,我們驚奇地發(fā)現(xiàn),在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的高端玩家,竟然也是臺(tái)積電、
    的頭像 發(fā)表于 01-03 11:37 ?1713次閱讀
    詳細(xì)解讀<b class='flag-5'>英特爾</b>的<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    英特爾IEDM 2024大曬封裝晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

    芯東西12月16日?qǐng)?bào)道,在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會(huì)議)上,英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:52 ?965次閱讀
    <b class='flag-5'>英特爾</b>IEDM 2024大曬<b class='flag-5'>封裝</b>、<b class='flag-5'>晶體管</b>、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

    半導(dǎo)體未來三大支柱:先進(jìn)封裝、晶體管和互連

    重要參考方向。 在IEDM 2024大會(huì)上,英特爾發(fā)布了7篇技術(shù)論文,展示了多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)展。這些技術(shù)涵蓋了從FinFET到2.5D和3D封裝(EMIB、Foveros、Foveros Direct),即將在Intel 1
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:41 ?1048次閱讀
    半導(dǎo)體未來三大支柱:<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>、<b class='flag-5'>晶體管</b>和互連

    英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進(jìn)展

    來源:英特爾 在IEDM2024上,英特爾代工的技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)展示晶體管封裝技術(shù)的開拓性進(jìn)展,有助于滿足未來AI算力需求。 IEDM 20
    的頭像 發(fā)表于 12-10 10:41 ?575次閱讀