chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

同時(shí)取代閃存和DRAM,ULTRARAM真有這個(gè)潛力嗎?

E4Life ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:周凱揚(yáng) ? 2023-10-09 00:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會(huì)上,一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM,一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術(shù),力求制造出同時(shí)替代閃存和DRAM的通用存儲(chǔ)。

ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別

閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲(chǔ)形式,因?yàn)槠涮匦圆煌荒鼙环謩e用于特定場(chǎng)景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點(diǎn),但缺點(diǎn)在于需要高壓開(kāi)關(guān)電路,以及相對(duì)較慢的編程/擦除。

DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲(chǔ),需要持續(xù)的電源供應(yīng),加上破壞性讀出以及容量擴(kuò)展上始終存在困難??梢钥闯?,無(wú)論是閃存和DRAM,都逃不開(kāi)能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個(gè)共生的局面。

而ULTRARAM作為一個(gè)通用內(nèi)存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導(dǎo)體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導(dǎo)體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。

ULTRARAM是一種基于電荷的存儲(chǔ)器,像NAND一樣使用浮柵結(jié)構(gòu),所以也能像其他閃存一樣,實(shí)現(xiàn)非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)時(shí)間的存儲(chǔ),這得益于其TBRT結(jié)構(gòu)。哪怕是在單bit級(jí)別也能存儲(chǔ)遠(yuǎn)大于十年的時(shí)間,ULTRARAM中的電荷可以存儲(chǔ)1000年而不會(huì)出現(xiàn)泄露。且ULTRARAM開(kāi)關(guān)能耗極低,開(kāi)關(guān)速度更是低于ns級(jí)。

離量產(chǎn)還有多久?

然而任何新的存儲(chǔ)形態(tài)在試圖挑戰(zhàn)閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產(chǎn)的問(wèn)題,因?yàn)檫@才是決定其能否商業(yè)化的關(guān)鍵之一。常見(jiàn)的阻礙有,在現(xiàn)有的固態(tài)制造設(shè)備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經(jīng)對(duì)于大部分晶圓廠來(lái)說(shuō),是否需要額外的工序。

據(jù)了解Quinas Technology已經(jīng)宣布添置和購(gòu)買(mǎi)了相關(guān)設(shè)備,用于生產(chǎn)出20nm的ULTRARAM原型產(chǎn)品,并將繼續(xù)積極推動(dòng)該技術(shù)的商業(yè)化。在確定其性能達(dá)到宣傳指標(biāo),比如1000萬(wàn)次重寫(xiě)循環(huán)后,他們會(huì)嘗試開(kāi)始小規(guī)模市場(chǎng)并尋找感興趣的客戶(hù)。

與此同時(shí),英國(guó)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)也獎(jiǎng)勵(lì)了Quinas Technology 30萬(wàn)英鎊,用于推動(dòng)這一技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。不過(guò)離真正的量產(chǎn)應(yīng)該還有一定的差距,其發(fā)明者及Quinas Technology CSO表示,這對(duì)于一家初創(chuàng)公司來(lái)說(shuō)自然是不小的投資,但量產(chǎn)ULTRARAM的過(guò)程并非短跑,而是一場(chǎng)馬拉松。

Quinas Technology雖然購(gòu)買(mǎi)了相關(guān)設(shè)備,但其僅用于原型的制造和驗(yàn)證,真正量產(chǎn)還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內(nèi)存制造工廠,據(jù)了解他們很可能選擇與臺(tái)積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業(yè)合作。

在最終產(chǎn)品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場(chǎng),比如服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心級(jí)別的產(chǎn)品,畢竟消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)仍處于一個(gè)去庫(kù)存的階段,而高性能內(nèi)存恰恰是利潤(rùn)最高的。同時(shí)Quinas Technology透露,對(duì)UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對(duì)于ULTRARAM的節(jié)能特性尤其看好。

寫(xiě)在最后

和所有新的存儲(chǔ)技術(shù)一樣,大規(guī)模量產(chǎn)并控制成本才是最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。而對(duì)于ULTRARAM來(lái)說(shuō),該技術(shù)尚未到量產(chǎn)驗(yàn)證階段,還在性能與指標(biāo)的驗(yàn)證階段,如果原型產(chǎn)品和之后的小批量產(chǎn)品能夠與宣傳保持一致的話,相信這一技術(shù)會(huì)獲得更多公司的青睞和投資。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2362

    瀏覽量

    187361
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新型存儲(chǔ)突破,ULTRARAM即將量產(chǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日Quinas Technology 和 IQE plc 宣布,新型存儲(chǔ)器ULTRARAM 已突破重大制造障礙,即將進(jìn)入試生產(chǎn)階段。 ? ULTRARAM結(jié)合了DRAM
    的頭像 發(fā)表于 08-29 09:22 ?3013次閱讀

    請(qǐng)問(wèn)一下誰(shuí)有這個(gè)OB6625的Pspice模型

    請(qǐng)問(wèn)一下誰(shuí)有這個(gè)OB6625的Pspice模型
    發(fā)表于 08-04 15:18

    華盛昌真有效值工業(yè)級(jí)數(shù)字鉗形表系列的應(yīng)用案例

    華盛昌真有效值工業(yè)級(jí)數(shù)字鉗形表以DT-9180H/9181H/9182 400A真有效值工業(yè)級(jí)數(shù)字鉗形表、DT-9280/9281/9282 600A真有效值工業(yè)級(jí)數(shù)字鉗形表、DT-9380A
    的頭像 發(fā)表于 06-26 10:23 ?711次閱讀

    CYPM1111配備了SROM,這個(gè)SROM是普通閃存嗎?

    請(qǐng)介紹一下 CYPM1111。 CYPM1111 配備了 SROM。 這個(gè) SROM 是普通閃存嗎? 另外,請(qǐng)告訴我這個(gè) SROM 的作用。 數(shù)據(jù)表中只有以下文字,我無(wú)法完全理解。 \"提供包含啟動(dòng)和配置例程的監(jiān)控 ROM\"。
    發(fā)表于 05-23 08:03

    Keithley靜電計(jì)6514真有效值測(cè)量方法

    的性能,在微小電流、電荷密度以及復(fù)雜信號(hào)分析中表現(xiàn)出色。本文將深入探討其真有效值測(cè)量方法,解析其原理、操作步驟及應(yīng)用場(chǎng)景,為用戶(hù)提供技術(shù)參考。 ? 一、真有效值測(cè)量的原理與意義 真有效值(True Root Mean Squar
    的頭像 發(fā)表于 05-20 10:15 ?433次閱讀
    Keithley靜電計(jì)6514<b class='flag-5'>真有</b>效值測(cè)量方法

    存儲(chǔ)DRAM:擴(kuò)張與停產(chǎn)雙重奏

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)高帶寬存儲(chǔ)HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練而大熱,HBM三強(qiáng)不同程度地受益于這一存儲(chǔ)產(chǎn)品的營(yíng)收增長(zhǎng),甚至就此改變了DRAM市場(chǎng)的格局。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的分析數(shù)據(jù),2025年
    的頭像 發(fā)表于 05-10 00:58 ?8567次閱讀

    DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說(shuō)

    本文要點(diǎn)提示:? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說(shuō),包括讀寫(xiě)以及存儲(chǔ);? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:45 ?1468次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>基本單元最為通俗易懂的圖文解說(shuō)

    DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

    TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 16:41 ?778次閱讀

    DRAM與NAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

    。這一趨勢(shì)直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的下跌,給相關(guān)供應(yīng)商帶來(lái)了不小的壓力。盡管業(yè)界普遍期待隨著市場(chǎng)需求的逐步恢復(fù),DRAM價(jià)格能夠有所反彈,但目前來(lái)看,這一期望似乎還需要一段時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。 與此同時(shí),NAND閃存市場(chǎng)也面臨著交易
    的頭像 發(fā)表于 02-07 17:08 ?817次閱讀

    DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

    近日,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面,春節(jié)長(zhǎng)假過(guò)后,消費(fèi)者對(duì)于DRAM
    的頭像 發(fā)表于 02-06 14:47 ?722次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    問(wèn)題,在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí),從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò),三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì),但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目標(biāo)是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解,
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1166次閱讀

    1分鐘了解真有效值鉗形表

    真有效值是影響鉗表讀數(shù)精準(zhǔn)度很重要的原因之一,特別是現(xiàn)場(chǎng)有變頻器等電氣環(huán)境較復(fù)雜的工業(yè)類(lèi)用戶(hù)。因?yàn)樵诟鼜V闊的工業(yè)環(huán)境中,尤其是越來(lái)越多的變頻、整流器、逆變器等設(shè)備的使用,實(shí)際波形也越來(lái)越多樣化,甚至
    的頭像 發(fā)表于 12-23 10:47 ?784次閱讀
    1分鐘了解<b class='flag-5'>真有</b>效值鉗形表

    DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

    本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其在器件縮小過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(Dynamic Random Access Memory,簡(jiǎn)稱(chēng)
    的頭像 發(fā)表于 12-17 14:54 ?4508次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的基本構(gòu)造與工作原理

    afe4900在測(cè)量的PPG信號(hào)比較弱的時(shí)候,有時(shí)取到的環(huán)境光信號(hào)是負(fù)的,怎么處理?

    我們發(fā)現(xiàn),在測(cè)量的PPG信號(hào)比較弱的時(shí)候,有時(shí)取到的環(huán)境光信號(hào)是負(fù)的(按照32bit有符號(hào)數(shù)),PPG信號(hào)是反的,請(qǐng)問(wèn)這種情況下,我們?cè)撛趺刺幚??如何獲取PPG的DC分量?
    發(fā)表于 12-04 08:19