D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封裝FET的直接替代品
Transphorm正在對(duì)三個(gè)650 V GaN FET進(jìn)行采樣，典型導(dǎo)通電阻為35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO無引線(TOLL)封裝。根據(jù)制造商的說法，這些通常關(guān)閉的D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封裝FET的直接替代品。
堅(jiān)固耐用的SuperGaN TOLL器件已通過JEDEC認(rèn)證。由于常關(guān) D 模式平臺(tái)將 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 配對(duì)，因此 SuperGaN FET 很容易使用常用的現(xiàn)成柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它們可用于各種硬開關(guān)和軟開關(guān) AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 拓?fù)?，以提高功率密度，同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸、重量和總體成本。
這三款表面貼裝器件的工作溫度范圍為 -55°C 至 +150°C，支持平均工作范圍為 1 kW 至 3 kW 的應(yīng)用。這些電源系統(tǒng)通常用于計(jì)算(AI、服務(wù)器、電信)、能源和工業(yè)系統(tǒng)(光伏逆變器、伺服電機(jī))以及其他工業(yè)市場(chǎng)。
審核編輯：彭菁
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