第3代半導體一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致分為3個階段，以硅(Si)為代表的通常稱為第1代半導體材料 ;以砷化鎵為代表的稱為第2代半導體材料，已得到廣泛應用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石等寬禁帶為代表的第3代半導體材料，由于其較第1代、第2代材料具有明顯的優(yōu)勢，近年來得到了快速發(fā)展。

SiC、GaN、ZnO等第3代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，更適合制作大功率電子器件。而SiC以其獨特的排列結構，在材料綜合性能、產(chǎn)品技術成熟度及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展等方面都凸顯出相對較高優(yōu)勢，具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率等特性，與GaN相比更適合制作功率器件，且已在新能源汽車、風電、光伏太陽能發(fā)電和LED照明等領域得到廣泛應用。

第三代半導體應用廣泛

然而，隨著第 3代半導體SiC功率器件集成度和功率密度的明顯提高，相應工作產(chǎn)生的熱量急劇增加。因此，電子封裝系統(tǒng)的散熱問題已成為影響其性能和壽命的關鍵，要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導熱的基板材料。

據(jù)統(tǒng)計，由熱引起的大功率器件失效高達55%。不僅如此，在新能源汽車、現(xiàn)代交通軌道等領域，大功率器件使用過程中還需要考慮抗腐蝕和較高機械硬度等復雜應用條件，這對基板等材料機械力學性能和可靠性提出了更高要求。

綜合考慮，先進陶瓷材料以其具備高強度、高導熱、耐高溫、高耐磨性、抗氧化、熱膨脹系數(shù)低和抗熱震等熱、力性能，同時具有較好的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點，成為大功率半導體器件基板的最佳材料，被廣泛應用到功率集成電路中。

三種陶瓷基板材料性能對比

富力天晟科技旗下斯利通品牌陶瓷基板，具有優(yōu)越的性能，成為3代半導體高功率器件封裝中的首選基板。

斯利通DPC陶瓷基板工藝流程

斯利通陶瓷基板擁有優(yōu)異的熱導率,高的熱導率代表了優(yōu)異的散熱性能，改善了功率器件的運行狀況和使用壽命 ;

斯利通陶瓷基板擁有較高的力學性能，尤其材料抗彎強度對功率器件可靠性有直接影響 ;

斯利通陶瓷基板擁有良好的絕緣性和抗電擊穿能力;

斯利通陶瓷基板擁有低的熱膨脹系數(shù)，與SiC襯底在熱膨脹系數(shù)的匹配上具有其他陶瓷不可替代的優(yōu)勢 ;

斯利通陶瓷基板擁有良好的高頻特性，即低的介電常數(shù)和低的介質(zhì)損耗 ;

同時，富力天晟科技擁有精密的激光打孔、刻蝕設備，高精度光刻、顯影設備，先進的表面處理技術，磁控濺射設備，脈沖電鍍填孔設備等等，能夠保證公司旗下斯利通品牌陶瓷基板具備超高精密線寬、線距(L/S 20μm)，精密的表面粗糙度(0.03μm)，良好的厚度一致性(±3μm),成為各大半導體、功率器件、傳感器高科技企業(yè)長期的合作伙伴。

審核編輯：湯梓紅