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STM32F103C8T6 ST/意法 基于Arm?的中等密度高性能系列32位MCU概述

jf_95732097 ? 來源:jf_95732097 ? 作者:jf_95732097 ? 2023-11-02 10:00 ? 次閱讀
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STM32F103系列中等密度高性能系列集成了高性能Arm?Cortex-M3?32位RISC內(nèi)核,工作頻率為72MHz,高速嵌入式存儲器(閃存高達128KB,SRAM高達20KB),以及連接到兩個的廣泛增強型I/O和外設(shè)APB巴士。所有器件均提供2個12位ADC、3個通用16位定時器和1個PWM定時器以及標準和高級通信接口:最多兩個I2C以及SPI、三個USART、一個USB和一個CAN。

這些器件采用2.0V至3.6V電源供電。它們有–40到+85°C溫度范圍和–40至+105°C擴展溫度范圍。一個一整套省電模式允許設(shè)計低功耗應用。STM32F103系列中等密度高性能系列包括六種不同的器件封裝類型:從36引腳到100引腳。根據(jù)所選擇的設(shè)備,不同的集包括外圍設(shè)備,下面的描述概述了整個范圍該系列中建議的外設(shè)。這些特性使STM32F103系列成為中等密度高性能系列微控制器該系列適用于廣泛的應用,如電機驅(qū)動、應用控制、醫(yī)療和手持設(shè)備、PC和游戲外圍設(shè)備、GPS 平臺、工業(yè)應用、PLC、變頻器、打印機、掃描儀、報警系統(tǒng)、可視對講機和暖通空調(diào)。

特點

? Arm?32位 Cortex?-M3 CPU內(nèi)核
–72MHz最大頻率,1.25 DMIPS/兆赫(Dhrystone 2.1)0等待狀態(tài)存儲器時的性能訪問
–單周期乘法和硬件劃分

? 記憶
– 64或128KB閃存
– 20KB的SRAM

?時鐘、復位和電源管理
– 2.0至3.6V應用電源和I/O
– POR、PDR和可編程電壓探測器(PVD)
– 4至16MHz晶體振蕩器
– 內(nèi)部8MHz工廠調(diào)整RC
– 內(nèi)部40kHz RC
– 用于CPU時鐘的PLL
– 用于RTC的32kHz振蕩器,帶校準

?低功耗
– 睡眠、停止和待機模式
– 用于RTC和備份寄存器的VBAT電源
?2個12位、1μs A/D轉(zhuǎn)換器(最多16個頻道)
– 轉(zhuǎn)換范圍:0至3.6V
– 雙采樣和保持能力
溫度傳感器

?DMA
– 7 通道DMA控制器
– 支持的外設(shè):定時器、ADC、SPI、I2C和USART

? 多達80個快速I/O端口
– 26/37/51/80個I/O,全部可映射在16個外部中斷向量和幾乎所有5V容限

?調(diào)試模式
– 串行線調(diào)試(SWD)和JTAG接口

wKgZomVDADqAS-iwAAD_ZNr8l4c930.png

數(shù)據(jù)表-生產(chǎn)數(shù)據(jù)

wKgZomVDAH2Ab-CRAAIdu5ecszM392.png

wKgZomVDAJ2AA0cEAAKLjK4fjqw246.png

wKgaomVDAL2AFxMzAAIS9NtS3OE629.png

?整個系列完全兼容

低密度和高密度器件是STM32F103x8/B器件的擴展,它們是分別在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/E數(shù)據(jù)手冊中指定。低密度器件具有較低的閃存和 RAM 容量、更少的定時器和外設(shè)。高密度設(shè)備具有更高的閃存和 RAM 容量,并且SDIO、FSMC、I2S和DAC等其他外設(shè),同時保持與STM32F103xx系列的其他成員。

wKgaomVDAlyAEyylAAF0Ws7Oh8U603.png



審核編輯 黃宇

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