據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN116631469B，申請日期為2023年7月。

專利摘要顯示，本公開提供了時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

該電路包括：

命令預(yù)解碼電路，用于對命令中的部分命令位進(jìn)行解碼得到預(yù)解碼命令信號(hào)；

命令解碼電路，用于對所述命令進(jìn)行解碼得到內(nèi)部命令信號(hào)

計(jì)數(shù)電路，用于基于初始時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行時(shí)鐘周期的計(jì)數(shù)，生成第一計(jì)數(shù)信號(hào)和第二計(jì)數(shù)信號(hào)；

時(shí)鐘信號(hào)截取電路，與所述命令預(yù)解碼電路、所述命令解碼電路和所述計(jì)數(shù)電路連接，用于根據(jù)所述預(yù)解碼命令信號(hào)、所述內(nèi)部命令信號(hào)、所述第一計(jì)數(shù)信號(hào)和第二計(jì)數(shù)信號(hào)對所述初始時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行截取，得到目標(biāo)時(shí)鐘信號(hào)。

根據(jù)本公開實(shí)施例，能夠降低存儲(chǔ)器的動(dòng)態(tài)損耗。

值得注意的是近日，據(jù)長鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)顯示，長鑫存儲(chǔ)推出了最新LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片，是國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)市場零的突破，同時(shí)也令長鑫存儲(chǔ)在移動(dòng)終端市場的產(chǎn)品布局更為多元。

南京證券發(fā)布研報(bào)稱，從國內(nèi)半導(dǎo)體需求的周期反轉(zhuǎn)順序來看，射頻>存儲(chǔ)、CIS>模擬>功率，目前國內(nèi)優(yōu)質(zhì)的射頻公司2H23庫存已經(jīng)消化到1H21水平，接下來需求反轉(zhuǎn)會(huì)輪動(dòng)到存儲(chǔ)板塊，目前存儲(chǔ)板塊近期已經(jīng)出現(xiàn)漲價(jià)現(xiàn)象。隨著下半年國內(nèi)手機(jī)品牌陸續(xù)推新以及iPhone15系列發(fā)布，上游出貨壓力將逐步緩解，存儲(chǔ)芯片調(diào)整周期尾聲將至，整個(gè)存儲(chǔ)市場有望迎來拐點(diǎn)。

審核編輯：劉清