導(dǎo)語：憑借強大的技術(shù)創(chuàng)新實力，英特爾在日前召開的IEEE國際電子器件會議EDM 2023上，展示出一系列令人矚目的成果，讓人們看到摩爾定律仍舊保持生命力。公司杰出的技術(shù)團隊正在全力突破技術(shù)前沿。英特爾身為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，用行動和成果證明了他們是引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)走向未來的主導(dǎo)力量。

在近日舉行的EDM 2023上，半導(dǎo)體巨頭英特爾展示了一項結(jié)合了直接背面觸點和背面電源的3D堆疊CMOS晶體管技術(shù)，以及其在背面供電和硅元素/氮化鎵（GaN）晶體管大規(guī)模單片集成上的突出成績。此外，英特爾還率先完成了在300毫米晶圓上進行硅晶體管和氮化鎵晶體管集成的巨大創(chuàng)舉，這一成果無疑向業(yè)界宣告了他們在三維集成和背面供電等尖端技術(shù)和設(shè)計方面的卓越實力。

該會議的出席者之一，英特爾公司高級副總裁暨組件研究總經(jīng)理Sanjay Natarajan表示：“放眼長期，我們已經(jīng)開始朝向制程技術(shù)的E時代，即所謂的‘四年五個制程節(jié)點’規(guī)劃。所以，現(xiàn)在比過去任何時刻更需要不斷地開展革新。在本次的EDM 2023上，我們盡力向大眾展示了我們在保持摩爾定律的可持續(xù)性上所做的努力。”他進一步解釋說，雙面供電技術(shù)、先進封裝部件的玻璃基底以及Foveros Direct等多個最近的發(fā)展，均展示了英特爾持續(xù)推進摩爾定律的決心。

眾所周知，晶體管微縮和背面供電是英特爾滿足快速增長的算力市場需求的關(guān)鍵所在。雖然面臨著困境和挑戰(zhàn)，例如成本壓力，但英特爾堅定不移地推動著自己的發(fā)展計劃，使自身在滿足此類市場需求時處于領(lǐng)先地位。在最近的這一系列進展中，英特爾顯示了對晶體管堆疊、背面供電技術(shù)的改進以及各種材料晶體管的整合等方面的廣泛研究和深入探索。

英特爾的這些創(chuàng)新科技，預(yù)計將能于2030年前效勞于社會。為此，英特爾特別設(shè)立了各種實驗室前瞻研究項目，意在通過更高的效率疊加晶體管來實現(xiàn)更大程度的縮小體積。借助背面供電和背面接觸等工具，可以看出英特爾在晶體管結(jié)構(gòu)技術(shù)方面取得了顯著的進步。英特爾研究師在會議期間，詳細(xì)介紹了她們在使用新2D通道材料以提升背面供電技術(shù)方面做出的努力，這都表明了其薄膜技術(shù)的進一步推進。有鑒于此，英特爾對摩爾定律的繼續(xù)推崇也就不足為奇了。英特爾堅信，通過這種方式，到2030年之前，他們完全能夠?qū)崿F(xiàn)在單個封裝內(nèi)融合超過一京等于1000億個晶體管的壯舉。

結(jié)語：英特爾在此次的活動中，再次用實際行動證明了它作為半導(dǎo)體巨人的地位。在面對市場競爭和技術(shù)變革時，英特爾不僅沒有被打倒，反而抓住機遇，成為了引領(lǐng)行業(yè)的標(biāo)志性存在。未來，英特爾將會繼續(xù)發(fā)揮其強大技術(shù)創(chuàng)新能力，打造出更多符合客戶需求的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，致力于推動全球芯片科技的進步，讓我們共同期待英特爾帶給我們更多的驚喜！