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東芝更小表貼面積的智能功率器件為設計釋放更多空間

東芝半導體 ? 來源:東芝半導體 ? 2024-01-19 18:06 ? 次閱讀
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電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度與時俱進,在性能不斷提高的同時,小型化也已成為不可逆轉(zhuǎn)的事實和趨勢。然而,由于新一代電子產(chǎn)品的空間越來越局促,如何釋放更多的空間留給不斷增加的功能,成為了產(chǎn)品設計師亟待解決的難題。因此,電子元器件的尺寸也一直是制約電子產(chǎn)品小型化的瓶頸之一。

作為業(yè)界提供電子產(chǎn)品核心元器件半導體廠商,東芝利用先進的半導體技術(shù)工藝使芯片的功能不斷增強,體積不斷縮小,同時也優(yōu)化了能耗。最新推出的兩款智能功率器件:TPD2015FN和TPD2017FN就是減小表貼面積,助力電子產(chǎn)品小型化的一種積極嘗試。

什么是智能功率器件

事實上,智能功率器件(IPD)和智能電源開關(guān)(IPS)意思相近,兩者均可用于車載和工業(yè)應用。智能功率器件也叫智能功率驅(qū)動IC、SMARTMOS(智能MOSFET)或帶保護的MOSFET,擁有多種功能,如過電流保護、熱關(guān)斷、診斷輸出等。它是一種單片功率IC,芯片上集成了輸出級功率MOSFET或IGBT以及控制輸出級電路,可以用來直接驅(qū)動直流無刷(BLDC電機等負載。

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用IPD直接驅(qū)動直流無刷(BLDC)電機

器件的基本特性

東芝推出的TPD2015FN和TPD2017FN智能功率器件中,前者是高邊開關(guān),后者是低邊開關(guān),均為8通道開關(guān)陣列。兩款產(chǎn)品均可在并行模式下運行,并直接以CMOS、TTL邏輯電路(MCU等)驅(qū)動功率負載。其中TPD2015FN集成了電荷泵,具有MOSFET輸出功能;TPD2017FN則集成了有源鉗位電路和N溝道MOSFET。

兩款新產(chǎn)品的最高工作溫度是110℃,高于現(xiàn)有產(chǎn)品(TPD2005F和TPD2007F)的85℃工作溫度,能夠支持工作溫度更高的應用。此外,兩款新產(chǎn)品還內(nèi)置了過流保護和過熱保護電路,有助于提高設計的可靠性。

TPD2015FN和TPD2017FN的主要特性如下:

內(nèi)置N溝道MOSFET(8通道)和控制電路的單芯片IC(高邊開關(guān)TPD2015FN具有內(nèi)置電荷泵)

采用小型SSOP30封裝,表貼面積相當于SSOP24封裝的71%左右

內(nèi)置保護功能(過熱、過流)

高工作溫度:Topr(最大值)=110℃

低導通電阻:RDS(ON)=0.4 ?(典型值)@VIN=5 V,Tj=25℃,IOUT=0.5 A

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TPD2015FN和TPD2017FN的主要規(guī)格

產(chǎn)品亮點分析

TPD2015FN和TPD2017FN的最大優(yōu)勢在于高集成度,采用東芝的模擬器件整合工藝(BiCD,雙極CMOS-DMOS),實現(xiàn)了0.4 Ω(典型值)的導通電阻,比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品低50%以上。

TPD2015FN和TPD2017FN均采用SSOP30(300 mil)小型封裝(典型值為9.7 mm×7.6 mm×1.2 mm),其表貼面積是上述現(xiàn)有產(chǎn)品所用SSOP24封裝(典型值13.0 mm×8.0 mm×1.5 mm)的71%左右,高度是SSOP24封裝的80%,同時引腳間距縮小到0.65 mm。這些改進減小了表貼面積,有利于縮小設計尺寸。

另外,兩款新產(chǎn)品支持大電流應用,與機械繼電器不同,開關(guān)時不會發(fā)生接觸磨損,因此無需進行器件維護。

為了讓客戶在進行產(chǎn)品設計時更了解上述兩款產(chǎn)品的性能,東芝還提供便于測試的評估板及相關(guān)技術(shù)支持,幫助客戶更快速開發(fā)出產(chǎn)品。

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TPD2015FN和TPD2017FN評估板

產(chǎn)品應用方向

東芝TPD2015FN和TPD2017FN主要應用于工業(yè)控制領域,可以控制電機、電磁閥、螺線管、燈具及其他應用,如工業(yè)設備(數(shù)控機床、變頻器/伺服器、IO-Link控制設備)中的可編程邏輯控制器,驅(qū)動其中的電阻負載和感性負載。上述兩款產(chǎn)品的推出進一步擴充了東芝的智能功率器件產(chǎn)品陣容,同時也是身體力行順應電子產(chǎn)品小型化趨勢的具體體現(xiàn)。







審核編輯:劉清

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原文標題:東芝更小表貼面積的智能功率器件為設計釋放更多空間

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