據(jù)存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)行業(yè)協(xié)會(huì)（SNIA）專家預(yù)測(cè)，21世紀(jì)20年代后期預(yù)計(jì)將出現(xiàn)持久內(nèi)存（PMEM）顛覆，這一新興技術(shù)或?qū)⑻娲?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/dram/" target="_blank">DRAM等現(xiàn)有的儲(chǔ)存技術(shù)。

值得注意的是，持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲(chǔ)器的結(jié)合體，具備迅速持久化特性，對(duì)于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題，存在突破解決之道。

SNIA專家Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，以SK海力士以及美光開發(fā)的鉿鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存為例，其表現(xiàn)出了超越現(xiàn)代DRAM的速度，然而最終誰將會(huì)成為主導(dǎo)這種新興技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)者，仍有待觀察，而最重要的問題在于，暫時(shí)沒有明確跡象表明何時(shí)何地可以實(shí)現(xiàn)DRAM的替換。

此外，鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存憑借其高速寫入周期，成為眾多強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者中的佼佼者。其中包括多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）、鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存 （FeRAM） 和可變電阻式存儲(chǔ)器（ReRAM）等，它們都在爭(zhēng)取取代SRAM、NOR閃存和DRAM等當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)。

盡管MRAM在短時(shí)間內(nèi)尚未展現(xiàn)出足以與DRAM分庭抗禮的閱讀速度，但專家聲稱其擁有巨大潛力，未來仍有望提升。配合新型技術(shù)——自旋軌道力矩（spin-orbit torque）和電壓調(diào)控磁各向異性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，有望進(jìn)一步縮短MRAM的寫入延遲時(shí)間，為其成就要素增添籌碼。

MRAM磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存具有非易失性，從上世紀(jì)90年代開始就受到矚目。其支持者稱，該技術(shù)具備接近SRAM的性能、閃存般的非揮發(fā)特性以及DRAM級(jí)別的容量密度和使用壽數(shù)。

同時(shí)，鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存的表現(xiàn)亦不遜色，既有SDRAM的隨機(jī)讀寫能力，又能像NVME那樣實(shí)現(xiàn)非揮發(fā)性特性。而ReRAM可變電阻式存儲(chǔ)器則屬于新型非易失性存儲(chǔ)器，和MRAM一樣，屬于新一代存儲(chǔ)器的代表之一。