美國(guó)記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標(biāo)志著美光在該領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位。這一消息推動(dòng)美光股價(jià)在當(dāng)天上漲4%，27日美股早盤(pán)繼續(xù)上漲逾2.5%。

HBM3E是第五代高頻寬記憶體，目前提供的容量為24GB，每腳位傳輸速率超過(guò)每秒9.2 Gb，記憶體頻寬達(dá)每秒1.2 TB以上。相較于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，美光HBM3E的功耗降低約30%。

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，公司計(jì)劃在2024年3月推出12層堆疊36GB HBM3E的樣品，該產(chǎn)品的效能可達(dá)每秒1.2TB以上，并具備出色的功耗表現(xiàn)。

這一里程碑性的量產(chǎn)對(duì)于美光而言是一項(xiàng)重大突破，預(yù)計(jì)將為公司2024年帶來(lái)7億美元的HBM銷(xiāo)售收入。

然而，三星電子也緊隨其后，于27日宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款采用矽穿孔技術(shù)的12層堆疊HBM3E。這款新產(chǎn)品的容量達(dá)到36GB，是迄今為止業(yè)內(nèi)最大的容量，已經(jīng)開(kāi)始提供樣品，并計(jì)劃在下半年進(jìn)行量產(chǎn)。

在同一領(lǐng)域，SK海力士于1月中旬完成HBM3E的開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃于3月開(kāi)始量產(chǎn)。然而，美光的成功量產(chǎn)使得SK海力士的進(jìn)度顯得相對(duì)滯后。Omdia最新的數(shù)據(jù)顯示，截至2023年第4季，三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為45.7%，SK海力士為31.7%，而美光為19.1%。

隨著高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用的不斷發(fā)展，HBM作為一種快速增長(zhǎng)的存儲(chǔ)技術(shù)，預(yù)計(jì)其市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的39億美元增長(zhǎng)至2027年的89億美元。在這一領(lǐng)域，美光通過(guò)HBM3E的量產(chǎn)成功，進(jìn)一步鞏固了其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

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審核編輯 黃宇