SK海力士正著重投資先進(jìn)芯片封裝領(lǐng)域，旨在應(yīng)對(duì)AI開發(fā)所需的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）日益增長(zhǎng)的需求。

據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長(zhǎng)（Lee Kang-Wook）介紹，SK海力士已在韓國(guó)投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因，實(shí)現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢(shì)，提升了SK海力士在HBM市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。

盡管今年的資本支出預(yù)算尚無(wú)公開信息，但分析師普遍預(yù)測(cè)約為14萬(wàn)億韓元（105億美元），先進(jìn)封裝研發(fā)預(yù)計(jì)占據(jù)10%以上，屬首要任務(wù)之一。

金融科技專家李副社長(zhǎng)認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)未來(lái)50年的重心將由前端（芯片設(shè)計(jì)和制造）轉(zhuǎn)向后端工藝（封裝）。他率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)推動(dòng)第三代HBM技術(shù)HBM2E新穎封裝方式的開創(chuàng)與發(fā)展，歷經(jīng)艱險(xiǎn)，成功研發(fā)出名為大規(guī)?；亓髂Ｋ艿撞刻畛洌∕R-MUF）的高端封裝技術(shù)，助力提升散熱效率及產(chǎn)量。李副社長(zhǎng)透露，SK海力士正全力推進(jìn)MR-MUF和TSV（硅通孔）技術(shù)。

目前，全球其他兩家主要HBM制造商也在緊隨其后。美光于2月底宣稱已著手大規(guī)模生產(chǎn)24GB 8-Hi HBM3E，并將于2024年第二季度用于英偉達(dá)H200 GPU；三星則宣布36GB 12-Hi HBM3E產(chǎn)品開發(fā)已然完工，計(jì)劃在2024年上半年啟動(dòng)量產(chǎn)，而SK海力士則準(zhǔn)備在2024年第一季度至第二季度初推出HBM3E。