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帝奧微SIM卡電平轉換DIO74557通過Qualcomm中高端平臺參考設計認證

江蘇帝奧微電子股份有限公司 ? 來源:江蘇帝奧微電子股份有限 ? 2024-03-11 09:18 ? 次閱讀
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江蘇帝奧微電子股份有限公司(以下簡稱帝奧微)SIM卡電平轉換產品DIO74557憑借其優(yōu)異的性能指標,成功通過高通平臺認證,進入Qualcomm(高通)發(fā)布的中高端平臺參考設計。

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隨著手機平臺的不斷發(fā)展,主芯片的制程已經使用4nm甚至3nm工藝,其I/O邏輯電平可低至1.2V。目前SIM卡主要采用1.8V或者3V的邏輯電平接口。為了讓手機主芯片能與SIM卡端邏輯電壓兼容,需要在主芯片和SIM卡之間使用電平轉換芯片。為此帝奧微推出SIM卡電平轉換芯片DIO74557。

DIO74557主要參數

SIM卡端工作電壓范圍:1.65V~ 3.6V

主機微控制器端工作電壓范圍:1.08V~1.95V

最高支持時鐘速度:10 MHz

內部集成EMI濾波器

端口ESD保護能力:SIM卡端引腳均滿足IEC61000-4-2接觸放電保護±8kV和空氣放電保護±15KV

無需額外的外部電阻,內部集成上拉和下拉電阻

符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3 SIM/智能卡接口要求

工作溫度范圍:-40℃~85℃

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DIO74557應用框圖

DIO74557是專為用于連接先進制程的主芯片和SIM卡(1.65V~3.6V)而設計的具有低電壓主機端(1.08 V~1.95 V)芯片。它包含三路電平轉換器,將SIM卡的I/O、RST和CLK信號進行電平轉換,使得SIM卡(1.8V或3V)能與主芯片(1.2V)進行正常通訊。它內部集成I/O上拉電阻和ESD保護,無需外部上拉電阻或者ESD保護器件,可提供更加小型化的整體解決方案。

DIO74557符合所有ETSI、IMT-2000 標準和 ISO-7816-3 SIM/智能卡接口要求。DIO74557采用QFN1.8*1.4-10封裝,工作溫度范圍為-40℃~85℃。

帝奧微有一系列的電平轉換產品,涵蓋SIM卡電平轉換以及通用單通道、雙通道、四通道、八通道電平轉換。推挽及開漏可選,多種封裝可選。具體參考如下表:

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審核編輯:劉清

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原文標題:【品質認可】帝奧微SIM卡電平轉換DIO74557通過Qualcomm(高通)中高端平臺參考設計認證

文章出處:【微信號:江蘇帝奧微電子股份有限公司,微信公眾號:江蘇帝奧微電子股份有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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