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Vishay推出采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-12 10:29 ? 次閱讀
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近日,全球知名半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N,均采用了Vishay獨特的Trench IGBT技術(shù),為設(shè)計人員提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)選項,旨在降低運(yùn)輸、能源和工業(yè)應(yīng)用中的大電流逆變級導(dǎo)通或開關(guān)損耗。

這一系列功率模塊的創(chuàng)新之處在于,它們提供了低VCE(ON)和低Eoff兩種技術(shù)選擇。低VCE(ON)特性有助于在導(dǎo)通狀態(tài)下減少能量損失,從而提高整體效率;而低Eoff特性則有助于在開關(guān)過程中減少能量損失,進(jìn)一步提升系統(tǒng)的性能。

這些工業(yè)級器件專為各種應(yīng)用的電源逆變器設(shè)計,包括鐵路設(shè)備、發(fā)電配電和儲電系統(tǒng)、焊接設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動器機(jī)器人等。在這些應(yīng)用中,功率模塊的性能直接影響到整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此,Vishay的新款半橋IGBT功率模塊有望為這些應(yīng)用帶來顯著的性能提升。

此外,這些新型功率模塊還采用了改良的INT-A-PAK封裝,這種封裝設(shè)計不僅提供了出色的散熱性能,還增強(qiáng)了模塊的機(jī)械強(qiáng)度,使其能夠在各種惡劣的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

業(yè)界專家分析認(rèn)為,Vishay此次推出的新款半橋IGBT功率模塊,充分展示了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實力。這些模塊不僅性能優(yōu)異,而且適用性廣泛,有望為電源逆變器市場帶來新的增長動力。

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,對功率模塊的性能要求也越來越高。Vishay的新款半橋IGBT功率模塊的推出,無疑為市場提供了一款高性能、高可靠性的解決方案。未來,我們期待Vishay能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品,推動電力電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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