chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

芯三代半導體啟動A股IPO輔導,專注碳化硅外延設備研發(fā)

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-03-15 16:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

證監(jiān)會官網(wǎng)最新披露,碳化硅(SiC)領域的領軍企業(yè)芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)已在江蘇證監(jiān)局完成輔導備案登記,計劃首次公開發(fā)行股票并上市。

該公司主營產(chǎn)品為基于超高溫CVD技術的垂直進氣碳化硅外延設備系列,該系列包括單腔單片6英寸、雙腔單片6英寸、單腔單片8英寸、雙腔單片8英寸等多種產(chǎn)品,主要應用于6/8英寸碳化硅同質(zhì)外延生長。

芯三代在碳化硅外延設備領域深耕多年,憑借卓越的技術實力和創(chuàng)新能力,成功研發(fā)出多款高性能、高可靠性的產(chǎn)品,受到市場的廣泛認可。此次啟動上市輔導,標志著芯三代在資本市場的發(fā)展邁出了重要一步,有望進一步提升其品牌影響力和市場競爭力。

未來,隨著碳化硅市場的不斷擴大和應用領域的不斷拓展,芯三代有望憑借其領先的技術和產(chǎn)品優(yōu)勢,在行業(yè)中占據(jù)更加重要的地位,為投資者帶來更多回報。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253702
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3406

    瀏覽量

    67519
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3221

    瀏覽量

    51468
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?215次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B3M平臺深度解析:第<b class='flag-5'>三代</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET技術與應用

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵指標,直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?400次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?873次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?976次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>推出34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    ,涵蓋了從材料生長到質(zhì)量控制的多個環(huán)節(jié)。外延生長監(jiān)測:確保高質(zhì)量材料基礎外延生長是第三代半導體材料制備的核心環(huán)節(jié)之一。碳化硅和氮化鎵通常通過
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?384次閱讀
    電鏡技術在第<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>中的關鍵應用

    SiC碳化硅三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?618次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應用方案

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導體產(chǎn)業(yè)的轉型升級路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)創(chuàng)立初期采用
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?654次閱讀

    三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優(yōu)勢、應用領域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1443次閱讀

    碳化硅半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅半導體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2133次閱讀

    天域半導體IPO:國內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導體的港交所主板IPO申請獲受理。2023年6月,天域半導體向深交所提交上市申請,但在2024年8月,終止輔導機構協(xié)議。 ? ?
    的頭像 發(fā)表于 01-06 06:58 ?3927次閱讀
    天域<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>IPO</b>:國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術推進的重要動力之一
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1152次閱讀

    碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術

    碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿電壓以及高功率密度特性。這些特性
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:25 ?1841次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術

    三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2292次閱讀
    第<b class='flag-5'>三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導體</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹

    碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質(zhì)使其成為新一高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?1307次閱讀