近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專(zhuān)為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品。該產(chǎn)品以其卓越的性能和創(chuàng)新的微溝槽芯片方案，為市場(chǎng)帶來(lái)了極具性?xún)r(jià)比的選擇，預(yù)計(jì)將在光伏儲(chǔ)能充電樁領(lǐng)域掀起一股新的技術(shù)革命。

據(jù)悉，這款I(lǐng)GBT單管產(chǎn)品的電壓等級(jí)達(dá)到了650V，電流等級(jí)為50A@Tc=100℃，這足以滿足光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用對(duì)于高電壓、大電流的需求。同時(shí)，揚(yáng)杰科技在研發(fā)過(guò)程中特別注重產(chǎn)品的能效表現(xiàn)，該IGBT單管具有低導(dǎo)通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)異特性，使其在高頻應(yīng)用中能夠發(fā)揮出更高的效能。

值得一提的是，揚(yáng)杰科技在這款I(lǐng)GBT單管產(chǎn)品中采用了微溝槽最新平臺(tái)芯片方案。這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)不僅提升了產(chǎn)品的整體性能，還使其在性?xún)r(jià)比上更具優(yōu)勢(shì)。微溝槽技術(shù)能夠有效降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，提高產(chǎn)品的可靠性，從而為用戶帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)。

此外，揚(yáng)杰科技在產(chǎn)品的可靠性方面同樣表現(xiàn)出色。這款I(lǐng)GBT單管產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試和驗(yàn)證，具有極高的可靠性和穩(wěn)定性，能夠確保在光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用中持續(xù)穩(wěn)定地運(yùn)行。

業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示，揚(yáng)杰科技此次推出的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品，不僅彰顯了公司在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的卓越實(shí)力，也為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。未來(lái)，隨著該產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，預(yù)計(jì)將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)發(fā)展。

揚(yáng)杰科技作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)開(kāi)拓。此次新品發(fā)布，再次證明了公司在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新能力。未來(lái)，揚(yáng)杰科技將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推出更多具有創(chuàng)新性和競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，為行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和國(guó)家經(jīng)濟(jì)的繁榮做出更大的貢獻(xiàn)。