森國科推出650V/60A IGBT
森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領先的低傳導損耗和高速開關性能，在電力電子領域引起了廣泛關注。
該IGBT采用了先進的制造工藝和材料技術，確保了器件在應用中的高可靠性。其低傳導損耗特性有助于減少能量浪費，提高整體能效。同時，高速開關性能使得設備響應更加迅速，進一步提升了系統(tǒng)的動態(tài)性能。
值得一提的是，這款IGBT還具有出色的魯棒性，能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這一特性有助于提升應用設備在惡劣條件下的穩(wěn)定性和可靠性，從而延長設備的使用壽命，減少維護成本。
森國科的這款IGBT新品無疑為電力電子應用提供了更加高效、可靠的解決方案，推動了相關領域的持續(xù)發(fā)展。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
IGBT
+關注
關注
1284文章
4171瀏覽量
258483 -
高速開關
+關注
關注
1文章
20瀏覽量
9283 -
森國科
+關注
關注
0文章
50瀏覽量
541
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
龍騰半導體650V 99mΩ超結MOSFET重磅發(fā)布
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
森國科推出G1297A單相無刷散熱電機驅動芯片
森國科今日宣布推出G1297A單相無刷散熱電機驅動芯片，作為G1287A系列的全新升級產(chǎn)品，G1
東芝推出三款最新650V SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
森國科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)
第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業(yè)森國科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），
森國科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品
在如今的科技發(fā)展浪潮中，電力電子器件的性能對眾多領域的發(fā)展至關重要。隨著1500V 光儲系統(tǒng)的廣泛應用，1000V/800V 新能源汽車架構平臺的蓬勃發(fā)展，高壓兆充的快速布局，森
新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業(yè)技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50
東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092
微源半導體推出650V半橋柵極驅動芯片LPD2106
輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達650V，開關節(jié)點動態(tài)能力支持達50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護功能，集成了輸入最小
高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術。
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區(qū)保護、高低側互鎖功能，防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍
芯達茂國產(chǎn)IGBT模塊，國產(chǎn)IBGT單管 全系列型號
)50A 650V TO-247-3L
XD060Q065AY1S3應用：電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)60A 650V TO-247-3L
XD075H065CX1S3應用：
發(fā)表于 12-19 15:03
BCA60A，BCB 60A(TO-3P)單向可控硅手冊
BCA60A，BCB 60A(TO-3P)單向可控硅●產(chǎn)品特征和主要用途BCA60A，BCB 60A(TO-3P)單向可控硅:具有自主知識產(chǎn)權的單面挖槽技術，臺面玻璃鈍化工藝；背面多層
發(fā)表于 12-16 11:09
?1次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論