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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-03-20 08:13 ? 次閱讀
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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求,而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件,CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗,適用于太陽能(如組串逆變器)以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。

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CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品系列適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統(tǒng)。與1700V SiC MOSFET相比,這些器件還能為1500 VDC系統(tǒng)的過壓提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基準(zhǔn)柵極閾值電壓為4.5V,并且配備了堅(jiān)固的體二極管來實(shí)現(xiàn)硬換向。憑借.XT連接技術(shù),這些器件可提供一流的散熱性能,以及高防潮性。

除了2000V CoolSiC MOSFET之外,英飛凌很快還將推出配套的CoolSiC二極管:首先將于2024年第三季度推出采用TO-247PLUS 4引腳封裝的2000V二極管產(chǎn)品組合,隨后將于2024年第四季度推出采用TO-247-2封裝的2000V CoolSiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管非常適合太陽能應(yīng)用。此外,英飛凌還提供與之匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合。

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