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英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-20 10:32 ? 次閱讀
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英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Generation 2技術(shù)在保證高質(zhì)量和可靠性的基礎(chǔ)上,顯著提升了MOSFET的主要性能指標(biāo),如能量和電荷儲量,這一提升幅度高達(dá)20%。

這一技術(shù)突破不僅大幅提升了整體能效,更為推動低碳化進(jìn)程做出了積極貢獻(xiàn)。隨著全球?qū)Φ吞?、環(huán)保的重視日益加深,英飛凌的這一創(chuàng)新無疑為工業(yè)、消費(fèi)、汽車等領(lǐng)域的低碳化和數(shù)字化發(fā)展提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。

CoolSiC MOSFET G2技術(shù)的推出,進(jìn)一步發(fā)揮了碳化硅在性能上的優(yōu)勢。通過降低能量損耗,這一技術(shù)顯著提高了功率轉(zhuǎn)換過程中的效率,使得功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的客戶能夠享受到更高的性能和更低的能耗。

特別是在光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電源等領(lǐng)域,CoolSiC MOSFET G2技術(shù)展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。以電動汽車為例,采用CoolSiC G2的直流快速充電站能夠最高減少10%的功率損耗,從而在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)更高的充電功率,大大提升了用戶體驗(yàn)。同時(shí),基于CoolSiC G2器件的牽引逆變器還能夠進(jìn)一步增加電動汽車的續(xù)航里程,為電動汽車市場的快速發(fā)展提供了有力支持。

在可再生能源領(lǐng)域,CoolSiC G2技術(shù)同樣發(fā)揮了重要作用。采用這一技術(shù)的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小的尺寸,從而降低了每瓦成本,提高了太陽能系統(tǒng)的整體經(jīng)濟(jì)效益。

總的來說,英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了前所未有的變革。這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用將有力推動各行業(yè)的低碳化進(jìn)程,為構(gòu)建綠色、可持續(xù)的未來社會做出重要貢獻(xiàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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