三星電子日前公布了其創(chuàng)新的12層HBM3E內(nèi)存芯片計劃，預(yù)計將于2024年第二季度正式投入量產(chǎn)，并有意將其融入超微新一代的人工智能半導(dǎo)體產(chǎn)品中，以穩(wěn)固其市場地位。這一戰(zhàn)略動作無疑凸顯了三星在加速追趕HBM市場領(lǐng)頭羊SK海力士方面的決心，也展示了其在高帶寬內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的雄厚實力。

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨特的“樓房設(shè)計”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認(rèn)可。隨著技術(shù)的日新月異，HBM產(chǎn)品已逐步從第一代演進(jìn)至第五代HBM3E，其中，美光、SK海力士與三星作為行業(yè)的技術(shù)領(lǐng)軍者，持續(xù)推動著整個HBM市場的創(chuàng)新與發(fā)展。

在HBM3E技術(shù)的研發(fā)道路上，三星無疑展現(xiàn)出了令人矚目的能力。其最新推出的HBM3E 12H產(chǎn)品，不僅支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，而且產(chǎn)品容量高達(dá)36GB，相較于之前的8層堆疊HBM3 8H，帶寬和容量均實現(xiàn)了大幅提升，增幅超過50%。

這一技術(shù)突破的背后，是三星對先進(jìn)技術(shù)的深度應(yīng)用。它采用了熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層堆疊產(chǎn)品與8層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，滿足了當(dāng)前HBM封裝的要求。同時，HBM3E 12H的垂直密度相比HBM3 8H提高了20%以上，再次證明了三星在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的卓越成就。

此外，三星還通過優(yōu)化芯片之間的凸塊（bump）尺寸，有效提升了HBM的熱性能，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

業(yè)界預(yù)測，搭載HBM3E 12H的人工智能應(yīng)用在訓(xùn)練速度上將實現(xiàn)顯著的提升，相比使用HBM3 8H的應(yīng)用，速度將提升34%。同時，推理服務(wù)用戶數(shù)量也將實現(xiàn)跨越式增長，超過11.5倍。這一性能提升將使得人工智能應(yīng)用在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜任務(wù)時更加得心應(yīng)手，為用戶帶來更加流暢和高效的體驗。

目前，三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并計劃在今年下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)。這一戰(zhàn)略舉措將進(jìn)一步鞏固三星在HBM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，為其在全球半導(dǎo)體市場的競爭中注入新的活力。

審核編輯：黃飛