chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

河南中宜創(chuàng)芯500噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線完成,純度高達99.999%

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-08 16:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近期,河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展公司500噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線順利實現(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)品純度高達99.99999%,并已在我國二十余家企事業(yè)單位進行應用測試及認證

據(jù)了解,該公司乃我國最大的碳化硅粉體研發(fā)、制造與銷售商,主營業(yè)務包括電子級高純碳化硅粉體以及碳化硅襯底的生產(chǎn)與銷售。

據(jù)中宜創(chuàng)芯官方發(fā)布的信息,該公司成立于2023年5月24日,由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團合資組建,總投資額達20億元,分階段建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線。

其中,一期工程總投資6億元,年產(chǎn)量500噸,占地面積12000平方米,自2023年6月20日動工至9月20日完成建設并試運行,9月30日產(chǎn)出首批產(chǎn)品。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值可達5億元。

早前有報道稱,2023年10月2日,經(jīng)權威機構檢測,首爐碳化硅產(chǎn)品純度達99.99996%,符合國家優(yōu)質品標準。

今年2月6日,河南電子半導體產(chǎn)業(yè)園區(qū)傳來喜訊:平煤神馬集團碳化硅半導體實驗室成功培育出我省首個8英寸碳化硅單晶晶錠,充分證明了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導體粉體在晶體生長領域的顯著優(yōu)勢。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28901

    瀏覽量

    237656
  • 生產(chǎn)線

    關注

    1

    文章

    242

    瀏覽量

    26085
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3065

    瀏覽量

    50457
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)投產(chǎn)!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)英飛凌在8月8日宣布,其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營,這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠,一期項目投資額高達20億歐元,重點生產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 08-12 09:10 ?4573次閱讀

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉換的關鍵器件
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?209次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?340次閱讀

    基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?284次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢

    安意法合資工廠通啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導體的自強之路

    近日,三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓工廠正式通,預計2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資
    的頭像 發(fā)表于 03-01 16:11 ?557次閱讀

    碳化硅半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅半導體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1338次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟

    在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:31 ?464次閱讀

    安森美在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?545次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    高純碳化硅合成方法

    ? 本文介紹了半導體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長以及高純碳化硅的合成方式。 在科技飛速發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 12-17 13:55 ?956次閱讀

    意法半導體與雷諾集團簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

    ????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:41 ?682次閱讀

    碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅半導體產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?941次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,其制造工藝涉及多個復雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細介紹: 原材料選擇與預處理 SiC生產(chǎn)的基礎在于原材料的精
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?4495次閱讀

    碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

    。而硅晶圓是傳統(tǒng)的半導體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應用領域。 制造工藝: 碳化硅晶圓的制造工藝相對復雜,需要高溫、高壓和長時間的生長過程。而硅晶圓的制造工藝相對成熟,可以實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。此外,
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3069次閱讀