臺(tái)積電日前表態(tài)，其A16（1.6nm）制程技術(shù)有望于2026年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，且該工藝將搭載高效的背面供電（即“超級(jí)供電軌”）技術(shù)以提高芯片性能。

據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機(jī)。

至于背面供電技術(shù)，英特爾原定于20A（2nm）制程引入，后決定推遲至14A制程采用；三星亦研發(fā)出相似的BSPDN技術(shù)，據(jù)報(bào)道，三星代工部門首席技術(shù)官Jung Ki-tae曾表示，將于2027年將此技術(shù)應(yīng)用于1.4nm制程。

值得注意的是，英特爾已收到ASML首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，并已完成組裝。盡管如此，業(yè)界普遍認(rèn)為，臺(tái)積電此時(shí)推出A16制程，無疑會(huì)給英特爾和三星帶來競(jìng)爭(zhēng)壓力。盡管英特爾在High-NA EUV設(shè)備方面領(lǐng)先，但能否跟上臺(tái)積電的商業(yè)化步伐仍需觀察。

此外，臺(tái)積電決定在A16制程中繼續(xù)使用常規(guī)EUV光刻機(jī)，充分展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力——無需最新設(shè)備即可將現(xiàn)有EUV設(shè)備的分辨率推向1.3nm以下。實(shí)際上，去年臺(tái)積電已通過調(diào)整光刻膠材料及光掩模制程等手段，成功提升先進(jìn)制程的臨界尺寸和圖形精度，同時(shí)降低了缺陷密度。

臺(tái)灣分析師指出，臺(tái)積電、英特爾、三星間的激烈競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)一步推動(dòng)EUV光刻機(jī)市場(chǎng)需求，特別是對(duì)獨(dú)家供應(yīng)商ASML而言。鑒于High-NA EUV設(shè)備產(chǎn)能有限，如何在三大晶圓代工巨頭間合理分配資源，無疑將成為一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)。