近日，全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7 SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項，RDSon值分別為30、40、60和80 mΩ，進一步豐富了公司的SiC MOSFET產品線。

Nexperia的這一最新發(fā)布是對其SiC MOSFET產品組合的快速擴展。此前，該公司已于2023年末發(fā)布了兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的獨立SiC MOSFET。新產品系列將覆蓋RDSon值為17至80 mΩ的廣泛范圍，并提供多種封裝選項，以滿足不同應用場景的需求。

RDSon作為SiC MOSFET的關鍵性能特征，直接決定了傳導期間的功率損耗。Nexperia注意到，盡管市場上許多SiC器件在標稱值上表現(xiàn)出色，但當器件工作溫度升高時，RDSon可能增加100%以上，導致顯著的傳導損耗。

為了解決這一問題，Nexperia憑借其先進的工藝技術，確保新型SiC MOSFET具有出色的溫度穩(wěn)定性。測試顯示，在25°C至175°C的溫度范圍內，這些MOSFET的RDSon標稱值僅增加38%，這一性能在行業(yè)中處于領先地位。

新發(fā)布的SiC MOSFET——NSF0xx120D7A0，滿足了市場對D2PAK-7等SMD封裝高性能SiC開關日益增長的需求。這些開關因其卓越的性能和可靠性，在電動汽車充電、不間斷電源、太陽能及儲能系統(tǒng)逆變器等工業(yè)應用中得到了廣泛應用。

隨著新能源和清潔能源技術的不斷發(fā)展，SiC MOSFET作為高性能電力電子器件，在電力轉換和能量管理領域發(fā)揮著越來越重要的作用。