聯(lián)電年度股東會(huì)上，共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰強(qiáng)調(diào)，與英特爾共同開(kāi)發(fā)12nm制程平臺(tái)將是公司技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)，預(yù)計(jì)在2026年研發(fā)成功、2027年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。

今年初，聯(lián)電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺(tái)，以滿足移動(dòng)設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)需求。

此次長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作將借助英特爾在美國(guó)的大規(guī)模制造能力以及聯(lián)電豐富的成熟制程晶圓代工經(jīng)驗(yàn)，拓展制程組合，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的供應(yīng)鏈服務(wù)，助力其做出明智的采購(gòu)決策。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，聯(lián)電與英特爾在美國(guó)開(kāi)展12nm FinFET制程合作，是公司追求經(jīng)濟(jì)高效產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)節(jié)點(diǎn)升級(jí)策略的重要環(huán)節(jié)，這也是公司對(duì)客戶始終如一的承諾。

該合作將幫助客戶順利過(guò)渡至關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)，同時(shí)受益于北美市場(chǎng)產(chǎn)能的擴(kuò)大所帶來(lái)的供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。他期待與英特爾深化戰(zhàn)略合作關(guān)系，充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，拓寬潛在市場(chǎng)，加速技術(shù)創(chuàng)新步伐。

股東會(huì)期間，簡(jiǎn)山杰還詳細(xì)介紹了聯(lián)電12nm FinFET制程平臺(tái)相較于前代14nm FinFET的顯著優(yōu)勢(shì)，包括芯片尺寸減小、功耗降低等，充分發(fā)揮了FinFET的性能、功耗和閘密度優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于各類半導(dǎo)體產(chǎn)品。他透露，聯(lián)電12nm FinFET制程平臺(tái)將于2026年研發(fā)成功，2027年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。