SK海力士31日宣布，本公司PKG開發(fā)擔當副社長李康旭于30日(美國時間)在美國科羅拉多州丹佛市舉行的“電氣與電子工程師協(xié)會-電子封裝學會(IEEE-EPS)2024年度大獎”頒獎盛典上，榮獲“電子制造技術獎(Electronics Manufacturing Technology Award)”，成為首位獲此殊榮的韓國人。

頒獎典禮由國際電氣電子工程領域最權威機構——電氣與電子工程師協(xié)會下屬的電子封裝學會主辦，是一年一度的業(yè)界盛事。作為學會年度大獎，“電子制造技術獎”授予在電子及半導體封裝領域取得卓越成就的從業(yè)者，自1996年宣布首位獲獎者以來，李康旭副社長成為首位獲此殊榮的韓國人。

電子封裝學會表示，李副社長在全球?qū)W術界和產(chǎn)業(yè)界從事3D封裝1及集成電路領域的研究開發(fā)工作超過20年，對推動用于AI的存儲器高帶寬存儲器(HBM)的研發(fā)及其制造技術的進步做出了重大貢獻。

13D封裝：一種將芯片垂直互聯(lián)，使芯片之間能夠直接進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆庋b方式，硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技術是其中有代表性技術。

作為半導體封裝技術專家，李副社長于2000年在日本東北大學憑借其在“用于集成微系統(tǒng)的三維集成技術(Three-dimensional Integration Technology for Integrated Micro-System)”領域的研究成果取得博士學位，隨后成為美國倫斯勒理工學院的博士后研究員，并曾在日本東北大學出任教授。自2018年起，他在SK海力士擔任晶圓級封裝(WLP，Wafer Level Package)部門負責人，主導了HBM產(chǎn)品所需封裝技術的開發(fā)工作。

特別值得關注的是，李副社長在2019年開發(fā)第三代HBM產(chǎn)品HBM2E的過程中，成功引入了批量回流模制底部填充(MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill)2的創(chuàng)新封裝技術，幫助SK海力士在HBM市場上奪得了領先地位，為公司成為用于AI的存儲器市場的全球領導者發(fā)揮了關鍵作用。

2批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：是一種在堆疊半導體芯片間隙注入液態(tài)保護材料，并通過融化芯片間的凸塊使其相互連接的工藝。相比于在每層芯片堆疊時使用膜狀材料的方法，該技術更高效且散熱效果更好。

李副社長表示：“我很高興獲得這個殊榮，這代表著SK海力士在HBM領域取得的杰出成就得到了正式認可?！彼€說：“隨著AI時代的全面到來， 先進封裝的作用也變得愈加重要，我們將一如既往地為推進技術創(chuàng)新竭盡全力?！?/p>

審核編輯：劉清