據(jù)韓國媒體報道，為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品，同時進一步鞏固其在全球半導體市場的領(lǐng)先地位。

HBM內(nèi)存因其高帶寬和低延遲特性，在高性能計算、人工智能等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用。然而，與標準內(nèi)存相比，HBM內(nèi)存對DRAM裸片的消耗量巨大。為了解決當前HBM內(nèi)存供應(yīng)緊張的問題，SK海力士決定加大1b nm制程DRAM的產(chǎn)能投入。

根據(jù)SK海力士的計劃，到今年年底，該公司計劃將1b nm內(nèi)存晶圓的投片量增至9萬片。而到了明年上半年，這一數(shù)字將進一步增加到14至15萬片。為了實現(xiàn)這一目標，SK海力士將對其位于京畿道利川市的M16內(nèi)存晶圓廠進行升級，以滿足1b nm工藝的生產(chǎn)需求。

業(yè)內(nèi)專家表示，SK海力士此次擴大1b nm DRAM產(chǎn)能的舉措，不僅有助于緩解HBM內(nèi)存供應(yīng)緊張的問題，同時也將為公司帶來更高的利潤和更廣闊的市場前景。在全球半導體市場持續(xù)火熱的背景下，SK海力士的這一戰(zhàn)略決策無疑將進一步鞏固其在市場中的競爭地位。