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三星將于今年內(nèi)推出3D HBM芯片封裝服務(wù)

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-19 14:35 ? 次閱讀
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近日,據(jù)韓國媒體報道,全球領(lǐng)先的半導體制造三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存(HBM)的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實。

三星的3D封裝技術(shù)被譽為將徹底改變未來芯片制造的格局。據(jù)悉,該技術(shù)將為2025年底至2026年的HBM4集成鋪平道路,預示著三星在內(nèi)存和芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。

三星的3D封裝技術(shù)平臺名為SAINT(三星先進互連技術(shù)),它集成了三種不同的3D堆疊技術(shù),以滿足不同應用場景的需求。SAINT-S針對SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)進行優(yōu)化,而SAINT-L則專為邏輯電路而設(shè)計。最令人矚目的是SAINT-D,它允許在CPUGPU等邏輯芯片之上堆疊DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器),為高性能計算提供了前所未有的可能。

自2022年三星正式宣布推出SAINT-D以來,該公司一直在進行深入研究和技術(shù)開發(fā)。經(jīng)過數(shù)年的努力,SAINT-D技術(shù)預計將在今年正式商用。這標志著三星作為全球最大內(nèi)存制造商和領(lǐng)先代工廠的一個重要里程碑,也預示著整個半導體行業(yè)將迎來一場技術(shù)革命。

隨著3D封裝技術(shù)的普及和應用,未來的芯片將能夠擁有更高的性能、更低的功耗和更小的體積。三星的這一創(chuàng)新技術(shù)無疑將推動整個行業(yè)的發(fā)展,為未來的智能設(shè)備、云計算和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域帶來更加出色的性能和能效表現(xiàn)。

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