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SIM卡靜電放電防護(hù)方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-08-13 15:04 ? 次閱讀
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方案簡介

SIM卡,全稱為“用戶識(shí)別模塊”(Subscriber Identity Module),是移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)中用于存儲(chǔ)用戶簽約信息的智能卡。SIM卡內(nèi)部包含有大規(guī)模集成電路,卡片內(nèi)部存儲(chǔ)了數(shù)字移動(dòng)電話客戶的信息、加密密鑰等內(nèi)容。當(dāng)手機(jī)開機(jī)時(shí),手機(jī)會(huì)讀取SIM卡中的信息,并將其發(fā)送給網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商進(jìn)行身份驗(yàn)證。驗(yàn)證通過后,用戶即可享受網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商提供的各種服務(wù)。一旦SIM卡從手機(jī)拔出,除了緊急呼叫外,手機(jī)將無法享受網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營者提供的各種服務(wù)。

由于使用手機(jī)的過程中可能會(huì)出現(xiàn)插拔SIM卡的操作,有可能會(huì)帶來ESD損害,導(dǎo)致手機(jī)部分功能失效。怎么讓產(chǎn)品穩(wěn)定可靠的運(yùn)行,成為我們迫切需要處理的問題,常規(guī)的ESD靜電防護(hù)器件可能會(huì)影響數(shù)據(jù)的傳輸,造成音質(zhì)失真等現(xiàn)象;此方案采用集成多路ESD靜電二極管防護(hù)元器件,具有導(dǎo)通電壓精度高、響應(yīng)速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低的特性,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,且做到成本最優(yōu)化。

引腳配置

wKgZoma7BSOALwI0AACYG7pKJ3U406.png

Pin 名稱 功能描述 Pin 名稱 功能描述
1 VCC 電源輸入 2 RST 復(fù)位信號(hào)輸入
3 CLK 時(shí)鐘信號(hào)輸入 4 GND
5 VPP 編程電壓輸入 6 IO 串行數(shù)據(jù)輸入/輸出

按照SIM卡標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,SIM卡支持4種等級(jí):Class A、Class B、Class C、Class D。其中前三類的數(shù)值符合 ISO/IEC 7816-3 [11],根據(jù)使用和儲(chǔ)存溫度進(jìn)行分類:Class A(-40 °C to +85 °C)、Class B(-40 °C to +105 °C)、Class C(-40 °C to +125 °C),Class D是 ISO/IEC 7816-3 [11]中規(guī)定值的進(jìn)一步發(fā)展。不同等級(jí)的VCC電壓不一樣,如下表所示:

Symbol Minimum Maximum Unit Class
Vcc 4.5 5.5 V A
Vcc 2.7 3.3 V B
Vcc 1.62 1.98 V C
Vcc 1.1 1.3 V D

應(yīng)用示例

wKgZoma7BTOASGvXAAAn6db3_z0243.png

針對SIM卡的靜電防護(hù)方案,我們提供三款防護(hù)器件,可選擇SEUC236T5V4U 、SEUC236T5V4UB或SEUC236T5V4UC作為ESD防護(hù)器件。三款器件都為集成多路ESD靜電二極管防護(hù)元件,可同時(shí)保護(hù)SIM卡的五個(gè)引腳免受靜電放電(ESD)和低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾。

三款器件都為低電容低鉗位電壓ESD保護(hù)器件,封裝都為SOT-23-6L,工作電壓都為5V,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。客戶可根據(jù)SIM卡的實(shí)際情況選擇器件。

型號(hào)參數(shù)

規(guī)格型號(hào) 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結(jié)電容(pF) 封裝
SEUC236T5V4U Uni. 5 4.5 12 0.6 SOT-23-6L
SEUC236T5V4UB Uni. 5 5.5 14 0.6 SOT-23-6L
SEUC236T5V4UC Uni. 5 15 22 1.5 SOT-23-6L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 12.0 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表1SEUC236T5V4U電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=5.5A; tp=8/20us 14.0 17.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表2SEUC236T5V4UB電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0. V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 10 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=15A; tp=8/20us 22.0 25.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 1.5 2.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.75 1.0 pF

表3SEUC236T5V4UB電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

由于SIM卡在移動(dòng)通信和數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的重要作用,保護(hù)SIM卡免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)SIM卡的優(yōu)選之策,確保移動(dòng)通信的正常運(yùn)行。

審核編輯 黃宇

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