在GaN快充問世的前兩年，許多人還處在觀望狀態(tài)，然而再經(jīng)過兩年之后，GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟，并席卷快充市場。GaN等第三代半導(dǎo)體的出現(xiàn)，為各相關(guān)領(lǐng)域帶來了突破性的進(jìn)展。伴隨其在5G通信基站和消費電子業(yè)務(wù)的確定性增長，待技術(shù)進(jìn)一步更新之后，GaN將在未來幾年內(nèi)在高功率電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域大范圍應(yīng)用。如果您還在猶豫，不妨先了解下深圳銀聯(lián)寶科技集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率快充電源芯片U8607！

快充電源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8607采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。

快充電源芯片U8607主要特征：

1、原邊反饋控制，無需光耦和 TL431

2、集成 700V GaN FET 驅(qū)動

3、集成高壓啟動功能

4、谷底鎖定 QR 模式

5、最高工作頻率 130kHz

6、外置環(huán)路補償

7、驅(qū)動電流分檔配置

8、內(nèi)置線損補償

9、集成完善的保護(hù)功能：

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

輸出過壓保護(hù) (FB OVP)

輸入欠壓保護(hù) (Line BOP)

輸出過壓保護(hù) (Line OVP)

過溫保護(hù) (OTP)

VDD 過欠壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

10、封裝形式 ASOP7-T4

快充電源芯片U8607集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實現(xiàn)頻率抖動，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8607采用了谷底鎖定工作模式，在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

GaN的出現(xiàn)，也影響著電感變壓器等充電器中元器件的應(yīng)用。通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴大。然而快充充電器比我們設(shè)想的要小、要薄。因為與普通半導(dǎo)體的硅材料相比，GaN的帶隙更寬且導(dǎo)熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感。尤其是變壓器，它的形狀很大程度上決定了充電器外觀的設(shè)計。趨勢不可擋，想要了解更多GaN快充電源芯片，就找深圳銀聯(lián)寶！