2024年09月25日 Global Info Research調(diào)研機(jī)構(gòu)發(fā)布了《全球碳化硅電力電子行業(yè)總體規(guī)模、主要廠商及IPO上市調(diào)研報(bào)告，2024-2030》。本報(bào)告研究全球碳化硅電力電子總體規(guī)模，主要地區(qū)規(guī)模，主要企業(yè)規(guī)模和份額，主要產(chǎn)品分類規(guī)模，下游主要應(yīng)用規(guī)模等。統(tǒng)計(jì)維度包括收入和市場(chǎng)份額等。不僅全面分析全球范圍內(nèi)主要企業(yè)競(jìng)爭態(tài)勢(shì)，收入和市場(chǎng)份額等。同時(shí)也重點(diǎn)分析全球市場(chǎng)主要廠商（品牌）產(chǎn)品特點(diǎn)、產(chǎn)品規(guī)格、收入、毛利率及市場(chǎng)份額、及發(fā)展動(dòng)態(tài)。歷史數(shù)據(jù)為2019至2023年，預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)為2024至2030年。

調(diào)研機(jī)構(gòu)：Global Info Research電子及半導(dǎo)體行業(yè)研究中心

報(bào)告頁碼：206

碳化硅被正式引爆獲得廣泛關(guān)注的是2018年，馬斯克首次宣布在特斯拉Model3的主驅(qū)逆變器里使用SiC-MOSFET以替代傳統(tǒng)的Si-IGBT，奠定了碳化硅“上車”的里程碑。此后，比亞迪、小鵬、吉利紛紛效仿，開始布局碳化硅器件。2023年下半年，以小鵬G6、智界S7、問界M9為代表的800V高壓平臺(tái)車型紛紛發(fā)售，SiC上車速度明顯加快。從400V到800V的背后是整個(gè)體系的迭代，包括電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換器、電池、車載充電器、高壓加熱器、線束、插頭、電壓轉(zhuǎn)換器、空調(diào)等全部得符合新的電壓標(biāo)準(zhǔn)，其中又以SiC功率器件的規(guī)?；瘧?yīng)用最為關(guān)鍵。碳化硅功率器件可應(yīng)用于汽車、能源、交通、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，其中汽車占據(jù)主導(dǎo)地位，市場(chǎng)規(guī)模占比超過七成。汽車是碳化硅功率器件最大的下游市場(chǎng)。2023年全球新能源汽車總銷量達(dá)到了1465.3萬輛，同步增長35.4%。其中中國新能源汽車銷量達(dá)到949.5萬輛，占全球銷量的64.8%，新能源汽車產(chǎn)銷量已連續(xù)8年位居全球第一。美國和歐洲2023年全年新能源汽車銷量分別為294.8萬輛和146.8萬輛，同比增速分別為18.3%和48.0%。未來幾年，預(yù)計(jì)中國依然是全球最大的新能源汽車生產(chǎn)和消費(fèi)地區(qū)，將推動(dòng)碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件在汽車應(yīng)用的滲透率，驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。

根據(jù)本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅電力電子產(chǎn)值達(dá)到12580百萬美元，2024-2030年期間年復(fù)合增長率CAGR為20.4%。

SiC MOSFET模塊目前主要有650V、750V、900V、1200V、1700V和3300V SiC Module，核心廠商主要是主要用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域。目前全球碳化硅SiC模塊主要生產(chǎn)商包括STMicroelectronics、英飛凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、比亞迪、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric和Semikron Danfoss等，全球前三大產(chǎn)生占有大約70%的市場(chǎng)份額。

SiC MOSFET分立器件（單管）主要產(chǎn)品有650V, 750V, 900V, 1200V and 1700V分立器件。目前全球SiC MOSFET單管主要廠商有意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和羅姆等，前五大廠商占有大約80%的市場(chǎng)份額。

SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD）具有很小的總電荷（Qc），低開關(guān)損耗且高速開關(guān)工作。因此，它被廣泛用于電源的PFC電路中。此外，與硅基快恢復(fù)二極管的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）會(huì)隨溫度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，從而改善了電路性能。制造商能夠減小工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的尺寸，非常適合在功率因數(shù)校正電路和逆變器中使用。
SiC SBD用于提高電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠性，例如電池充電，電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車的充電電路以及太陽能電池板。 此外，它還被用于X射線發(fā)生裝置等高壓設(shè)備。

目前主要是650V、1200V、1700V、3300V碳化硅肖特二極管。核心廠商主要有意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美、微芯科技等，中國市場(chǎng)主要有三安光電、瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司等。

根據(jù)不同產(chǎn)品類型，碳化硅電力電子細(xì)分為：SiC功率模塊、 SiC MOSFET分立器件、 SiC二極管、 其他細(xì)分

根據(jù)碳化硅電力電子不同下游應(yīng)用，本文重點(diǎn)關(guān)注以下領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域、 充電樁、 工業(yè)電機(jī)、 PV/儲(chǔ)能、 UPS/數(shù)據(jù)中心、 軌道交通、 其他應(yīng)用

本文重點(diǎn)關(guān)注全球范圍內(nèi)碳化硅電力電子主要企業(yè)，包括：意法半導(dǎo)體、 英飛凌、 Wolfspeed、 羅姆、 安森美、 比亞迪半導(dǎo)體、 微芯科技、 三菱電機(jī)(Vincotech)、 賽米控丹佛斯、 富士電機(jī)、 Navitas (GeneSiC)、 東芝、 Qorvo (UnitedSiC)、 三安光電（三安集成）、 Littelfuse (IXYS)、 中電科55所（國基南方）、 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司、 深圳基本半導(dǎo)體有限公司、 SemiQ、 Diodes Incorporated、 SanRex三社、 Alpha & Omega Semiconductor、 Bosch、 KEC、 強(qiáng)茂股份、 安世半導(dǎo)體、 威世科技、 株洲中車時(shí)代電氣、 華潤微電子、 斯達(dá)半導(dǎo)、 揚(yáng)杰科技、 廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司、 銀河微電、 士蘭微、 Cissoid、 SK powertech、 上海瞻芯電子科技有限公司、 中瓷電子、 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司、 華微電子、 派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司、 芯聯(lián)集成

審核編輯 黃宇