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虛擬設(shè)計(jì)與優(yōu)化電力電子系統(tǒng)依賴(lài)于半導(dǎo)體芯片模型

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-12-10 11:57 ? 次閱讀
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電力電子系統(tǒng)的虛擬優(yōu)化對(duì)于提升現(xiàn)代技術(shù)的性能和效率至關(guān)重要。這一過(guò)程的核心在于開(kāi)發(fā)精確的半導(dǎo)體模型,這對(duì)于模擬電力電子轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)行為、電流共享和過(guò)壓特性是不可或缺的。本文概述了一種新穎的半導(dǎo)體建模方法,該方法結(jié)合了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)表征技術(shù)以及參數(shù)擬合,從而能夠創(chuàng)建高度精確的模型。

電力電子技術(shù)幾乎存在于現(xiàn)代生活的各個(gè)方面,從消費(fèi)電子到可再生能源集成和交通。這些系統(tǒng)的性能很大程度上取決于其功率半導(dǎo)體器件的能力,這些器件在確定設(shè)備的電氣特性、熱管理、控制復(fù)雜性和整體效率方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

虛擬設(shè)計(jì)方法的興起為優(yōu)化功率模塊和完整的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)開(kāi)辟了新的可能性,使工程師能夠在投入物理原型之前探索設(shè)計(jì)變化。

電力模塊的虛擬設(shè)計(jì)和優(yōu)化取決于半導(dǎo)體模型的準(zhǔn)確性。這些模型必須考慮各種因素,例如并行半導(dǎo)體晶圓之間的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)電流共享以及不同工作點(diǎn)的過(guò)壓條件。

開(kāi)發(fā)優(yōu)化的功率模塊需要大量的設(shè)計(jì)迭代和原型測(cè)試,這將開(kāi)發(fā)過(guò)程延長(zhǎng)了相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。盡管模擬在開(kāi)發(fā)中已經(jīng)發(fā)揮了重要作用,但現(xiàn)有的工作流程沒(méi)有提供半導(dǎo)體晶圓表征和功率模塊建模之間的無(wú)縫集成,限制了完全優(yōu)化電力電子系統(tǒng)的潛力。

當(dāng)前虛擬設(shè)計(jì)工作流程和挑戰(zhàn)概述

已經(jīng)提出了幾種用于優(yōu)化電力電子系統(tǒng)的虛擬設(shè)計(jì)工作流程,所有這些工作流程都嚴(yán)重依賴(lài)于瞬態(tài)電氣模擬來(lái)準(zhǔn)確模擬半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)行為。這些模擬提供了對(duì)半導(dǎo)體晶圓上的電流分布和設(shè)備損耗等關(guān)鍵因素的深入了解,使電力模塊和整個(gè)轉(zhuǎn)換器的電氣和熱優(yōu)化成為可能。

然而,要實(shí)現(xiàn)這樣的模擬,需要高度精確的半導(dǎo)體器件模型。一些供應(yīng)商提供這些模型,但必須針對(duì)每個(gè)新設(shè)計(jì)、工作點(diǎn)和系統(tǒng)配置驗(yàn)證其準(zhǔn)確性。半導(dǎo)體器件本質(zhì)上很復(fù)雜,不能完全通過(guò)簡(jiǎn)化的模型來(lái)表示,否則會(huì)犧牲準(zhǔn)確性。雖然3D物理模型提供了最高的保真度,但它們計(jì)算量太大,不適合常規(guī)設(shè)計(jì)優(yōu)化。

因此,緊湊的行為模型,這些模型簡(jiǎn)化了器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu),已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)。盡管英飛凌科技等供應(yīng)商提供了緊湊模型,但它們的準(zhǔn)確性?xún)H限于某些工作點(diǎn),由于加密,用戶(hù)無(wú)法根據(jù)特定需求修改這些模型。

為了解決這些挑戰(zhàn),與Keysight Technologies等模擬工具提供商的合作導(dǎo)致了模型精度改進(jìn)的工具和方法。在他們的研究1中,作者展示了從兩個(gè)不同供應(yīng)商提取和驗(yàn)證IGBT二極管模型(圖1),利用Keysight的工具,無(wú)需預(yù)先了解器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

wKgZO2dXu8qAIaSXAACmR7LzJKo034.png圖1

提取工作流程

提取IGBT和二極管模型需要通常在器件數(shù)據(jù)表中不可用的詳細(xì)數(shù)據(jù)。對(duì)于IGBT,關(guān)鍵參數(shù)包括傳輸特性、集電極-發(fā)射極電壓相關(guān)的輸入/輸出電容和反向傳輸電容。對(duì)于二極管,必須表征輸出特性和電壓相關(guān)的電容。此外,溫度依賴(lài)性是這些模型中的關(guān)鍵因素,需要在不同的溫度下進(jìn)行測(cè)量。

本文描述的工作流程依賴(lài)于使用功率器件分析儀(Keysight B1505A)收集必要的數(shù)據(jù),然后將數(shù)據(jù)導(dǎo)入Keysight的IC-CAP軟件進(jìn)行參數(shù)擬合。同時(shí)使用靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)量,使用雙脈沖測(cè)試來(lái)捕獲二極管中的反向恢復(fù)和IGBT的開(kāi)關(guān)特性等瞬態(tài)行為。

圖2展示了在不同工作點(diǎn)(包括不同IGBT模型的輸出特性、電壓相關(guān)電容和開(kāi)關(guān)瞬態(tài))上,測(cè)量數(shù)據(jù)(虛線)和模型數(shù)據(jù)(實(shí)線)之間的高度一致性。

wKgZO2dXu9iAAnVkAACNsEVRUJk275.png圖2

評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)

在半導(dǎo)體建模中,模型的準(zhǔn)確性通常通過(guò)其預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)損耗的能力來(lái)判斷。然而,僅關(guān)注損耗可能會(huì)掩蓋器件行為的其他關(guān)鍵方面,例如過(guò)壓條件、電流共享以及寄生元件的影響。

研究1提出了13個(gè)不同的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn),以評(píng)估IGBT和二極管的瞬態(tài)模擬精度。這些標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了IGBT開(kāi)關(guān)和關(guān)斷事件的關(guān)鍵參數(shù),以及二極管的反向恢復(fù)行為。

一些關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)包括:

開(kāi)關(guān)和關(guān)斷期間的di/dt誤差:它測(cè)量IGBT中的電流變化率,這直接影響損耗和系統(tǒng)可靠性

峰值集電極電流誤差:它評(píng)估模型在預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)事件期間的峰值電流的準(zhǔn)確性,該參數(shù)受二極管反向恢復(fù)特性的影響

電壓平臺(tái)誤差:它評(píng)估模型在開(kāi)關(guān)期間電壓上升的準(zhǔn)確性,這對(duì)于理解過(guò)壓行為至關(guān)重要

結(jié)果和誤差調(diào)查

為了評(píng)估所提出模型的準(zhǔn)確性,對(duì)三個(gè)IGBT模型的192個(gè)工作點(diǎn)進(jìn)行了評(píng)估。結(jié)果表明,這些模型實(shí)現(xiàn)了令人滿(mǎn)意的準(zhǔn)確性,開(kāi)關(guān)損耗的誤差通常在高壓工作點(diǎn)為±7%,在低壓區(qū)域?yàn)椤?5%。di/dt誤差在低壓時(shí)為-8%,在高壓時(shí)為+18%,反映了在極端條件下準(zhǔn)確模擬瞬態(tài)行為的固有挑戰(zhàn)。

為了可視化誤差數(shù)據(jù),介紹了幾種方法,包括繪制誤差分布和使用直方圖來(lái)揭示特定范圍內(nèi)的誤差頻率。這些可視化表明,大多數(shù)工作點(diǎn)在設(shè)計(jì)目的的誤差范圍內(nèi),盡管在某些領(lǐng)域,如反向恢復(fù)行為和動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性方面,需要改進(jìn)。

結(jié)論和展望

這項(xiàng)工作1代表了半導(dǎo)體建模方面的一大進(jìn)步,使開(kāi)發(fā)更準(zhǔn)確和靈活的模型成為可能,這些模型可用于電力電子系統(tǒng)的虛擬設(shè)計(jì)。通過(guò)結(jié)合靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)量,工程師可以生成模型,這些模型允許對(duì)不同的功率模塊設(shè)計(jì)和工作條件進(jìn)行詳細(xì)比較。

盡管當(dāng)前的模型展示了良好的準(zhǔn)確性,但為了實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)優(yōu)化,還需要進(jìn)一步的改進(jìn)。特別是,需要在開(kāi)關(guān)損耗、動(dòng)態(tài)行為和門(mén)極驅(qū)動(dòng)器配置的虛擬調(diào)整方面進(jìn)行改進(jìn)。

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