HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器，專用于高性能和高頻設計。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同，HFG610-65 中的頻率折返功能可確保全負載范圍內(nèi)的高效率。
*附件：HFG610GQN-65數(shù)據(jù)手冊.pdf

HFG610-65 是一款基于副邊調(diào)節(jié) (SSR) 的原邊調(diào)節(jié)器，它必須與副邊反饋電路（例如 TL431
和光耦合器）配合使用。其高頻率縮小了無源元件的尺寸并實現(xiàn)了更高的功率密度。HFG610-65 還集成了高壓啟動和 X電容放電電路，并在突發(fā)模式下具有超低靜態(tài)電流 (I Q )，因此空載功耗低于 30mW。

該器件采用專有谷值鎖定技術，可抑制運行過程中的谷值跳躍，因此可避免噪聲的產(chǎn)生。它還具有寬VCC電壓（V CC ）范圍，因此適用于具有寬輸出電壓（V OUT ）范圍的應用，而且無需添加輔助繞組。

HFG610-65 具有先進的保護功能，包括原邊采樣輸出過壓保護 (ZCD OVP)、原邊采樣輸出欠壓保護 (ZCD UVP)、VCC
過壓保護 (VCC OVP)、輸出過載保護 (OLP) 、內(nèi)部欠壓保護和開啟 (B/O和B/I)、短路保護 (SCP)、電流采樣開路/短路保護
(CSOP/SSP)、內(nèi)部過溫關斷 (OTP)保護和欠壓鎖定（UVLO）保護。

HFG610-65 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封裝。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢

• 集成 700V/165mΩ GaN HEMT
• 創(chuàng)新專有準諧振 (QR) 控制，可消除可聞噪聲
• 頻率折返功能和突發(fā)模式可實現(xiàn)低輕載功耗
• 超寬 VCC 電壓 (V CC ) 范圍，適用于 USB 供電 (PD) 應用
• 內(nèi)置 X 電容放電器
• 內(nèi)置高壓啟動電路
• 采用 PD 協(xié)議 IC ，具有超低待機功耗 (<30mW)
• 峰值電流模式控制和前沿消隱
• 欠壓鎖定 (UVLO)保護
• VCC 過壓保護 (OVP)
• 零電流檢測 (ZCD) 過壓保護 (OVP) 和欠壓保護 (UVP)
• 過載保護（OLP）
• 內(nèi)部欠壓保護與啟動 (B/O和B/I)
• 短路保護 (SCP)
• 電流采樣開路/短路保護 (CSOP/SSP)
• 過溫保護 (OTP)
• 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封裝

審核編輯 黃宇