關(guān)鍵器件：

B3M040065Z（650V SiC MOSFET）：用于中間電平開(kāi)關(guān)，耐壓650V，匹配中點(diǎn)電壓。

B3M040120Z（1200V SiC MOSFET）：用于上下橋臂開(kāi)關(guān)，耐壓1200V，適應(yīng)高壓直流母線。

二、關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)

輸入側(cè)（MPPT）

光伏輸入電壓范圍：600–1000V（假設(shè)單路MPPT）。

Boost升壓輸出：穩(wěn)定至1200V直流母線。

開(kāi)關(guān)頻率：50kHz（利用SiC高頻優(yōu)勢(shì)，減小電感體積）。

電流計(jì)算：

單路功率25kW，輸入電流 25000/1000=?=25A（最大）。

B3M040120Z：連續(xù)電流64A@25°C，裕量充足。

B3D40120H2：連續(xù)電流61A@135°C，滿(mǎn)足需求。

逆變側(cè)（T型三電平）

直流母線電壓：1200V。

輸出功率：50kW（三相380V，輸出電流 ≈76A）。

開(kāi)關(guān)頻率：20kHz（平衡開(kāi)關(guān)損耗和EMI）。

器件選型：

B3M040120Z：承擔(dān)高壓側(cè)開(kāi)關(guān)（1200V），RDS(on)?=40mΩ，導(dǎo)通損耗低。

B3M040065Z：承擔(dān)中點(diǎn)開(kāi)關(guān)（650V），RDS(on)?=40mΩ，優(yōu)化中壓段效率。

三、熱管理設(shè)計(jì)

散熱方案：

強(qiáng)制風(fēng)冷+鋁基板散熱器，熱阻設(shè)計(jì)≤0.15°C/W。

B3M040120Z：最大結(jié)溫175°C，需確保殼溫≤110°C（參考 Rθ(j?c)?=0.48°C/W）。

損耗估算：

Boost開(kāi)關(guān)損耗：

Psw?=21?×VDS?×ID?×(ton?+toff?)×fsw?=0.5×1200×25×(31ns+34ns)×50kHz≈48.75W

導(dǎo)通損耗：

Pcond?=IRMS2?×RDS(on)?=252×0.04=25W

總損耗：?jiǎn)温芳s74W，雙路共148W，需匹配散熱器。

四、驅(qū)動(dòng)與保護(hù)

柵極驅(qū)動(dòng)：

使用專(zhuān)用SiC驅(qū)動(dòng)芯片（如BASiC基本股份BTD5350MCWR），提供+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓，支持快速開(kāi)關(guān)（<50ns）。

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以?xún)?nèi)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過(guò)OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP152P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

保護(hù)功能：

過(guò)壓保護(hù)：直流母線箝位至1300V（配合TVS）。

溫度監(jiān)控：NTC傳感器實(shí)時(shí)反饋散熱器溫度。

五、效率與EMI優(yōu)化

效率估算：

MPPT效率：99%（SiC二極管零反向恢復(fù)，Boost效率>98.5%）。

逆變效率：98.5%（T型拓?fù)?SiC低損耗）。

整機(jī)效率：>98%。

EMI設(shè)計(jì)：

輸入/輸出端加裝共模電感+π型濾波器。

PCB布局采用分層設(shè)計(jì)，開(kāi)關(guān)回路最小化。

六、BOM關(guān)鍵器件清單

功能模塊 器件型號(hào) 數(shù)量 備注

MPPT Boost開(kāi)關(guān)B3M040120Z4雙路，每路1個(gè)

MPPT二極管B3D40120H2 每路1個(gè)

T型逆變高壓開(kāi)關(guān)B3M040120Z12三相每橋臂4個(gè)（上下臂）

T型逆變中壓開(kāi)關(guān)B3M040065Z6三相每橋臂2個(gè)（中點(diǎn)）

驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350MCWR每MOSFET1個(gè)

直流母線電容450μF/1200V薄膜電容 6革 低ESR，高頻特性

七、驗(yàn)證與測(cè)試

樣機(jī)測(cè)試項(xiàng)：

MPPT動(dòng)態(tài)響應(yīng)（EN50530標(biāo)準(zhǔn)）。

滿(mǎn)載效率測(cè)試（歐洲效率>98%）。

高溫老化測(cè)試（48小時(shí)@50°C環(huán)境）。

預(yù)期性能：

峰值效率≥98.5%，CEC效率≥98%。

符合IEC62109-1/2安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

該方案充分利用BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國(guó)產(chǎn)SiC器件高頻、耐壓、低損耗特性，實(shí)現(xiàn)高功率密度（>1kW/L）和高可靠性，適用于戶(hù)用和工商業(yè)光伏場(chǎng)景。

審核編輯 黃宇