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汽車48V、AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動,英飛凌OptiMOS 7系列器件解析

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:梁浩斌 ? 2025-02-27 00:58 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)之前我們在《人形機(jī)器人引爆中低壓MOSFET需求》一文中介紹過低壓MOS在機(jī)器人領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,以及介紹了多家廠商包括硅基、氮化鎵的低壓MOSFET產(chǎn)品。今天我們來看看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。

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官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌

OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)用中的DC-DC、服務(wù)器/PC電源、電機(jī)驅(qū)動等。

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OptiMOS 7 帶銅夾的SSO8 5x6封裝 來源:英飛凌


其中OptiMOS 7是英飛凌在2023年推出的最新產(chǎn)品系列,采用了英飛凌的第五代Trench溝槽技術(shù)(雙多晶硅溝槽),同時通過使用無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù),大幅提高產(chǎn)品的電流能力。

OptiMOS 7還是采用了業(yè)界先進(jìn)的300mm(12英寸)薄晶圓技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn),基于英飛凌獨(dú)特的晶圓表面金屬化鍍層處理,使得該系列產(chǎn)品不僅具有出色的電氣性能,還具備良好的導(dǎo)熱性能。

總結(jié)下來,在實(shí)際的產(chǎn)品中,以40V為例,OptiMOS 7相比上一代OptiMOS 6的RDS(on)降低了25%,開關(guān)損耗進(jìn)一步降低,大電流能力得到增強(qiáng)。在開關(guān)速度上,OptiMOS 7相比OptiMOS 5的40V產(chǎn)品,開關(guān)速度快20%,可以令DC-DC有更高的頻率,適合于功率轉(zhuǎn)換和驅(qū)動應(yīng)用。

OptiMOS 7系列目前官網(wǎng)顯示有15V、25V、40V的產(chǎn)品,除了上圖官網(wǎng)顯示的產(chǎn)品列表外,實(shí)際上去年4月英飛凌還推出了OptiMOS 7系列的首款80V產(chǎn)品,據(jù)稱實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的80 V MOSFET。

另外還有100V的產(chǎn)品,80V和100V都主要是面向未來汽車48V低壓架構(gòu),比如線控轉(zhuǎn)向、線控剎車、低壓系統(tǒng)配電、DC-DC等應(yīng)用。當(dāng)然類似的電機(jī)驅(qū)動,比如電動兩輪車、機(jī)器人等領(lǐng)域同樣適用。

40V產(chǎn)品主要面向汽車的制動、懸掛、轉(zhuǎn)向、BLDC 驅(qū)動器、BMS、熱管理系統(tǒng)以及座艙內(nèi)無線充電控制器應(yīng)用。

而15V、25V產(chǎn)品則瞄準(zhǔn)了數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域。比如IQE004NE1LM7SC是業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET產(chǎn)品之一,除了導(dǎo)通電阻等性能指標(biāo)上的提升,還采用了雙面冷卻,增強(qiáng)散熱能力,將高功率開關(guān)電源應(yīng)用中的功率密度和效率大幅提高。

OptiMOS 7 25V產(chǎn)品組合針對硬開關(guān)和軟開關(guān)都有提供相應(yīng)的器件,針對硬開關(guān)應(yīng)用的產(chǎn)品注重降低米勒比,改進(jìn)FOMQoss 和 FOMQg10指標(biāo);軟開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化產(chǎn)品則有更多的 RDS(on)45和更低的FOMQg45 值。滿足了中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 和開關(guān)電源 (SMPS) 等AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,以及電信和傳統(tǒng)的服務(wù)器應(yīng)用等。

根據(jù)官方信息,OptiMOS 7系列的25V產(chǎn)品組合目前還正在開發(fā)中,將在2025年第三季度上市。

近年汽車、AI數(shù)據(jù)中心、電動兩輪車甚至是人型機(jī)器人等市場的高速發(fā)展,帶動了100V以下中低壓功率MOSFET的市場需求,各大廠商開始更新其中低壓產(chǎn)品線,并針對性地推出相關(guān)應(yīng)用的器件。同時這些應(yīng)用也需要更低導(dǎo)通電阻、更強(qiáng)過電流能力的MOSFET產(chǎn)品,期待未來各家廠商能在器件技術(shù)指標(biāo)上卷起來。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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