40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC

威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導(dǎo)體器件旨在為高頻應(yīng)用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡。

日前發(fā)布的二極管包括40 A至240 A的并聯(lián)雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)制造，正向壓降低至1.36 V，顯著減小導(dǎo)通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相比，這些器件具有更好的反向恢復(fù)參數(shù)，幾乎沒有恢復(fù)尾電流。

這些器件的典型應(yīng)用包括AC/DC功率因數(shù)校正（PFC），以及用于光伏系統(tǒng)、充電站、工業(yè)不間斷電源（UPS）和電信電源的反激式（FBPS）和LLC轉(zhuǎn)換器中的DC/DC超高頻輸出整流。在這些應(yīng)用環(huán)境下，二極管QC低至56 nC，可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，其采用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝可直接替代競品解決方案。

這些二極管可在高達(dá) +175 C高溫下工作，并且具有正溫度系數(shù)便于并聯(lián)。這些器件通過UL E78996認(rèn)證，其特點(diǎn)是端子之間具有較大的爬電距離，以及簡化的機(jī)械設(shè)計，便于快速組裝。

器件規(guī)格表：

1VR = 400 V

2VR = 800 V

新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為18周。

審核編輯 黃宇