NanoSpice Pro X先進(jìn)高速FastSPICE仿真器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

為了滿足工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)和設(shè)計(jì)裕度的降低所帶來(lái)的更高精度要求，NanoSpice Pro X采用自適應(yīng)雙引擎技術(shù)，無(wú)縫集成先進(jìn)FastSPICE引擎和高精度NanoSpiceX模擬引擎，以確保高模擬精度和卓越的數(shù)字性能，解決大規(guī)模存儲(chǔ)電路、CPU、和定制數(shù)字、系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)、全芯片等復(fù)雜設(shè)計(jì)的驗(yàn)證難題。

憑借其突破性的FastSPICE算法、智能拓?fù)潆娐纷R(shí)別和自動(dòng)分區(qū)技術(shù)、事件驅(qū)動(dòng)架構(gòu)在多線程效率的增強(qiáng)、后仿電路拓?fù)鋬?yōu)化、顯著提升的RC約簡(jiǎn)能力和基于電路類(lèi)型內(nèi)置的便捷功能選項(xiàng)，NanoSpice Pro X可實(shí)現(xiàn)更大容量、更高性能的仿真驗(yàn)證。

NanoSpice Pro X支持3D-IC和多工藝仿真技術(shù)，其中包括后仿真的反標(biāo)流程。憑借其先進(jìn)軟件架構(gòu)和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，NanoSpice Pro X可優(yōu)化仿真結(jié)果輸出和電路檢查等功能的效率，以實(shí)現(xiàn)在輸出超大規(guī)模仿真結(jié)果時(shí)，對(duì)電路性能和內(nèi)存消耗的額外降到最低。

通過(guò)與PrimariusNanoSpice系列產(chǎn)品協(xié)同使用，NanoSpie Pro X為存儲(chǔ)器和SoC設(shè)計(jì)提供了一站式解決方案。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

·運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)更短、精度更高

-同比NanoSpicePro速度提高2-5倍

-事件驅(qū)動(dòng)架構(gòu)提升多線程效率

-后仿布局和RC約簡(jiǎn)優(yōu)化

·自適應(yīng)雙引擎

卓越的模擬精度和數(shù)字性能

·突破性算法

基于ML/AI的電路檢測(cè)和自動(dòng)劃分算法

·覆蓋更全

從模塊級(jí)到全芯片的一站式電路仿真解決方案

·更高效

先進(jìn)的基礎(chǔ)架構(gòu)和高效的輸出系統(tǒng)可大幅降低額外開(kāi)銷(xiāo)

·容量更大

同比NanoSpicePro容量大2倍以上(20億+元器件)

技術(shù)規(guī)格

·支持Verilog協(xié)同仿真

·支持3D-IC和多工藝仿真(MTS)

·支持電路檢查(CCK)和安全操作區(qū)(SOA)檢查

·支持SPEF，DSPF，DPF反標(biāo)功能

·用于瞬態(tài)分析的NWF輸出格式，文件大小減少2倍以上

·支持FSDBPSFASCII,SPICEASCIIASCII等標(biāo)準(zhǔn)輸出格式用作數(shù)據(jù)分析

·支持VEC、VCD數(shù)字激勵(lì)文件

·支持公有云平臺(tái)、混合云和私有云

·支持S參數(shù)、傳輸線(W元件、T元件)、IBIS模型

·支持HSPICE和Spectre網(wǎng)表格式

·支持全面的器件模型

-MOSFET:BSIM3,BSIM4,BSIM-BULK,BSIM-IMG,BSIM-CMG,BSIM-SOI,LETI-UTSOI,PSP,HiSIM2,HiSIM_HV,EKV3

-BJT:MAXTRAM,VBIC,HICUM;TFT:a-SiTFT,poly-Si TFT

-Diode:JUNCAP,JUNCAP200,DIODE_CMC;Varactor:MOSVAR

-Resistor:R2_CMC,R3_CMC;HEMT:ASM-HEMT;JFET/MESFET;TMI;CuStomPMI;行為級(jí)受控源(Bsource)

產(chǎn)品應(yīng)用

·Flash/DRAM/SRAM功能驗(yàn)證、時(shí)序和功耗

·SRAM特征化

·復(fù)雜混合信號(hào)(ADC、Serdes、PLL)仿真

·定制數(shù)字電路(時(shí)鐘樹(shù)、MCU)全芯片仿真

·SoC(收發(fā)器、顯示電路、CIS、PMIC等)全芯片仿真

應(yīng)用實(shí)例