華為明確會(huì)有第三代智能手表,不著急發(fā)布
據(jù)報(bào)道，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東向其確認(rèn)， 華為會(huì)有新一代的智能手表產(chǎn)品，不過尚不著急發(fā)布 。
他解釋，目前，HUAWEI Watch 2的銷量不錯(cuò)，所以并不會(huì)在新一代的發(fā)布上趕時(shí)間。
事實(shí)上，2017年的MWC上，華為發(fā)布了第二代智能手表，迄今已經(jīng)整整一年了。
TR認(rèn)為，從余承東的表態(tài)來看，華為不太可能在3月27日和P20一起公布手表，更可能的時(shí)間點(diǎn)會(huì)是8月底開幕的德國(guó)IFA。
關(guān)于HUAWEI Watch 3，尚沒有更進(jìn)一步的消息，比如外形、規(guī)格、特色功能等。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
華為
+關(guān)注
關(guān)注
218文章
35802瀏覽量
260774 -
智能手表
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
3352瀏覽量
119348 -
可穿戴設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
55文章
3863瀏覽量
169742
原文標(biāo)題：華為確認(rèn)第三代智能手表：尚不急于推出
文章出處：【微信號(hào)：ofweekwearable，微信公眾號(hào)：OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆，也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進(jìn)程，將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
拆了星鏈終端第三代，明白這相控陣天線的請(qǐng)留言！
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢(shì)必會(huì)說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-08 14:43
?0次下載
EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-06 16:12
?0次下載
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來，在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國(guó)都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國(guó)，多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè)，像蘇州的國(guó)家第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來?shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論