在碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應用中，米勒鉗位功能至關(guān)重要，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

在SiC MOSFET橋式電路（如充電樁LLC拓撲、光伏逆變器等）中，米勒鉗位功能是確保高可靠性和高效率的核心設計要素。通過主動抑制米勒效應，可顯著降低誤開通風險，為高頻、高壓應用提供關(guān)鍵保障。

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

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1. 抑制米勒效應引起的誤開通

米勒效應原理：當橋式電路的上管快速開通時，橋臂中點電壓的快速變化（高dv/dt）會通過下管的柵漏寄生電容（Cgd）產(chǎn)生米勒電流（Igd=Cgd?dtdv）。該電流流經(jīng)下管的柵極電阻（Rgoff），導致下管柵極電壓被抬高，可能超過閾值電壓（VGS(th)），引發(fā)誤開通（直通現(xiàn)象）。

SiC MOSFET的脆弱性：

SiC MOSFET的閾值電壓較低（1.8~2.7V），且隨溫度升高進一步下降，更容易因米勒電流誤開通。

SiC器件的開關(guān)速度極快（dv/dt可達50kV/μs以上），進一步加劇米勒效應風險。

2. 米勒鉗位功能的作用

主動鉗位門極電壓：米勒鉗位通過低阻抗路徑（如驅(qū)動芯片內(nèi)部的MOSFET）將門極電荷快速泄放至負電源軌，抑制柵極電壓的抬升（例如將VGS從7.3V降至2V）。

增強系統(tǒng)可靠性：避免上下管直通短路，降低熱失控和器件損壞風險。

3. 與傳統(tǒng)IGBT的對比

IGBT：驅(qū)動負壓容忍度更高（-8~-15V），閾值電壓較高（約5.5V），通常無需米勒鉗位。

SiC MOSFET：驅(qū)動負壓受限（-4V~-8V），閾值電壓低且對溫度敏感，必須依賴米勒鉗位抑制誤開通。

4. 實測驗證

在雙脈沖測試中，開啟米勒鉗位功能后，下管柵極電壓波動顯著降低（從7.3V降至2V），有效避免誤開通（詳見第55-56頁測試數(shù)據(jù)）。

5. 系統(tǒng)優(yōu)化意義

提升效率：減少開關(guān)損耗和直通損耗，優(yōu)化整機效率。

支持高頻應用：通過抑制米勒效應，充分發(fā)揮SiC MOSFET的高頻優(yōu)勢。

碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應用中米勒鉗位功能的重要性

BASiC基本股份針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅(qū)動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動或在變壓器隔離驅(qū)動中用于驅(qū)動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。

對SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動IC BTL27524或者隔離驅(qū)動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

在SiC MOSFET橋式電路（如充電樁LLC拓撲、光伏逆變器等）中，米勒鉗位功能是確保高可靠性和高效率的核心設計要素。通過主動抑制米勒效應，可顯著降低誤開通風險，為高頻、高壓應用提供關(guān)鍵保障。

審核編輯 黃宇