來源：安森美

在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。

?一?SiC?MOSFET特性

與硅器件相比，SiC MOSFET的跨導（增益）更低，內(nèi)部柵極電阻更高，其柵極導通閾值可能低于2 V。因此，在關斷狀態(tài)下，必須向SiC MOSFET施加負柵源電壓（通常為-5 V）。SiC器件的柵源電壓通常要求在18 V ~ 20 V之間，以降低導通狀態(tài)下的導通電阻（RDS）。SiC MOSFET工作在低VGS下可能會導致熱應力或由于高RDS而可能導致故障。與低增益相關的其他影響會直接影響幾個重要的動態(tài)開關特性，在設計適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路時必須考慮這些影響，包括導通電阻、柵極電荷（米勒平臺）和過電流（DESAT）保護。

?二?導通電阻

在低VGS時，一些SiC器件的導通電阻與結溫特性之間的關系曲線看起來是拋物線*（由于內(nèi)部器件特性的組合）。(*這適用于安森美M1和M2 SiC MOSFET。)當VGS = 14 V時，RDS似乎具有負溫度系數(shù)(NTC)特性，即電阻隨溫度升高而降低。SiC MOSFET的這一獨特特征直接歸因于其低增益，這意味著如果兩個或更多的SiC MOSFET并聯(lián)工作在低VGS(負溫度系數(shù))下，可能會導致災難性損壞。因此，只有當VGS足以確保可靠的正溫度系數(shù)工作時（即VGS>18V），才建議將SiC MOSFET并聯(lián)工作。

圖1：M1或M2 SiC MOSFET的導通電阻與結溫之間的關系曲線 ? 新一代M3 SiC在所有VGS和所有溫度范圍都顯示正溫度系數(shù)

圖2：M3 SiC MOSFET的導通電阻與結溫之間的關系曲線

?三?柵極電荷

向SiC MOSFET施加柵源電壓(VGS)時，電荷被傳輸以盡快使VGS從VGS(MIN)(VEE)和VGS(MAX)(VDD)升高。由于器件的內(nèi)部電容是非線性的，因此可以使用VGS與柵極電荷(QG)的關系曲線來確定在給定的VGS下必須傳輸多少電荷。SiC MOSFET的這種 "米勒平臺 "發(fā)生在較高的VGS上，而且不像硅MOSFET那樣平坦。不平坦的米勒平臺意味著在相應的電荷范圍內(nèi)，VGS不是不變的，這也是由于器件低增益導致的。同樣值得注意的是，QG = 0 nC(關斷SiC MOSFET所需的電荷量) 不會發(fā)生在VGS = 0 V時，因此VGS必須為負 (本例中為-5 V)，以使柵極完全放電。

由于我們想測量導通或關斷SiC MOSFET所需的電荷量，我們的曲線只繪制了Qg的增量（或Qg的累積或Qg的變化）。這個數(shù)值也叫Qg。這可能會引起混淆。我們需要將這張圖解讀為需要的能量，而不純粹是存儲在柵源電容器中的能量。

圖3：SiC MOSFET柵源電壓與柵極電荷的關系

使用負柵極驅(qū)動阻斷電壓主要是為了減少關斷狀態(tài)下的漏電流。這也是由于跨導增益低造成的。使用負的阻斷電壓還可以減少開關損耗，主要是在關斷期間的開關損耗。

因此，幾乎對于所有的SiC MOSFET，都建議在關斷狀態(tài)下使用的最小VGS為-5 V < VGS(MIN)?< -2 V，有些制造商規(guī)定電壓低至-10 V。

四 ? 四欠壓保護(DESAT)

DESAT保護是一種過電流檢測，起源于IGBT的驅(qū)動電路。在導通時，如果IGBT不能再保持飽和狀態(tài)（"去飽和"），集電極-發(fā)射極電壓就會上升，同時全集電極電流流過。顯然，這對效率有不利影響，在最壞的情況下，可能導致IGBT的災難性故障。所謂的 "DESAT "功能監(jiān)測IGBT的集電極-發(fā)射極電壓，并檢測何時出現(xiàn)潛在的破壞性條件。雖然SiC MOSFET中的故障機制有些不同，但會有類似的情況，在最大ID流過時VDS可能上升。如果導通期間的最大VGS太低，柵極驅(qū)動導通沿太慢，或者存在短路或過載情況，就會出現(xiàn)這種不理想的條件。在滿載ID的情況下，RDS會增加，導致VDS意外上升。當SiC MOSFET發(fā)生欠飽和事件時，VDS的反應非常迅速，而最大漏極電流繼續(xù)流過不斷增加的導通電阻。當VDS達到預定的閾值時，就可以激活保護。應特別注意避免感測VDS的延遲，因為延遲會掩蓋這種現(xiàn)象。因此，DESAT是柵極驅(qū)動電路的一個重要的輔助性保護。

?五動態(tài)開關

SiC MOSFET的導通和關斷狀態(tài)有四個不同的階段。所示的動態(tài)開關波形呈現(xiàn)的是理想工作條件的情況。然而，在實踐中，封裝寄生物，如引線和邦定線電感、寄生電容和PCB布局會極大地影響實際波形。合適的器件選擇、最佳的PCB布局，以及對設計好的柵極驅(qū)動電路的重視，對于優(yōu)化開關電源應用中使用的SiC MOSFET的性能都是至關重要的。

圖4：SiC MOSFET導通序列的4個階段

六柵極驅(qū)動電路的設計要求

為了補償器件低增益，同時實現(xiàn)高效、高速的開關，對SiC柵極驅(qū)動電路有以下關鍵要求：

對于大多數(shù)SiC MOSFET，驅(qū)動電壓在-5 V > VGS > 20 V之間時性能最佳。柵極驅(qū)動電路應能承受VDD = 25 V和VEE = -10 V，以適用于最廣泛的可用器件

VGS必須有快速的上升沿和下降沿(在幾ns范圍內(nèi))

在整個米勒平臺區(qū)域內(nèi)，有能力提供高的峰值柵極灌電流和拉電流（數(shù)安培）

當VGS下降到米勒平臺以下時，需要提供一個非常低的阻抗保持或 "鉗位"，以實現(xiàn)高的灌電流能力。灌電流的額定值應超過僅對SiC MOSFET的輸入電容放電所需的電流。10A左右的峰值灌電流最小額定值應適用于高性能、半橋電源拓撲結構

VDD欠壓鎖定(UVLO)水平，與開關開始前VGS>~16 V的要求相匹配

VEE?UVLO監(jiān)測能力確保負電壓軌在可接受的范圍內(nèi)

能夠檢測、報告故障和提供保護的去飽和功能，使SiC MOSFET長期可靠運行

支持高速開關的低寄生電感

小尺寸驅(qū)動器封裝，布局盡可能靠近SiC MOSFET

? 七柵極驅(qū)動器方案

安森美的NCP51705是一款SiC柵極驅(qū)動器IC，提供高的設計靈活度和集成度，幾乎與任何SiC MOSFET兼容。NCP51705集成許多通用柵極驅(qū)動器IC所共有的功能，包括：

VDD正電源電壓最高28V

高峰值輸出電流：6 A拉電流和10 A灌電流

內(nèi)置5 V基準可用于偏置5 V、20 mA以下的低功耗負載（數(shù)字隔離器、光耦合器、微控制器等）

單獨的信號和電源接地連接

單獨的源和灌輸出引腳

內(nèi)置熱關斷保護

單獨的非反相和反相TTL、PWM輸入

圖5：NCP51705 SiC柵極驅(qū)動器框圖 ?

然而，該IC集成幾個獨特的功能，能夠以最少的外部元器件設計出可靠的SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路。這些功能包括：

欠壓保護(DESAT)

電荷泵 (用于設置負電壓軌)

可編程的欠壓鎖定(UVLO)

數(shù)字同步和故障報告

24引腳，4毫米×4毫米，熱增強型MLP封裝，便于板級集成

?八總結

在選擇合適的柵極驅(qū)動器IC時，SiC MOSFET的低增益給設計人員帶來了難題。通用的低邊柵極驅(qū)動器不能高效和可靠地驅(qū)動SiC MOSFET。NCP51705集成一系列功能，為設計人員提供了一個簡單、高性能、高速的解決方案，高效、可靠地驅(qū)動SiC MOSFET。

審核編輯：湯梓紅