LM74912-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器，具有過壓、欠壓和輸出短路保護(hù)功能。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （DGATE） 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET，以取代肖特基二極管，用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中具有第二個(gè) MOSFET，該器件允許使用 HGATE 控制在發(fā)生過流和過壓事件時(shí)進(jìn)行負(fù)載斷開（ON/OFF 控制）。該器件集成了電流檢測(cè)放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 檢測(cè)的短路保護(hù)，并具有可調(diào)節(jié)的電流限制。當(dāng)在輸出上檢測(cè)到短路情況時(shí)，該器件將鎖存負(fù)載斷開 MOSFET。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護(hù)功能。該器件具有 SLEEP 模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 （6 μA），同時(shí)在車輛處于停車狀態(tài)時(shí)為始終開啟的負(fù)載提供刷新電流。LM74912-Q1 的最大額定電壓為 65 V。
*附件：lm74912-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
• 在共漏極配置中驅(qū)動(dòng)外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
• 低反向檢測(cè)閾值 （–10.5 mV），快速響應(yīng) （0.5 μs）
• 20mA 峰值柵極 （DGATE） 導(dǎo)通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 可調(diào)的過壓和欠壓保護(hù)
• MOSFET 閉鎖狀態(tài)下的輸出短路保護(hù)
• 關(guān)斷電流為 2.5μA 的超低功耗模式（EN=低）
• 具有 6μA 電流的睡眠模式（EN=高，睡眠=低）
• 通過合適的瞬態(tài)電壓抑制器 （TVS） 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用 4 mm × 4 mm 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

LM74912-Q1 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的理想二極管控制器，具備故障輸出、過壓、欠壓和短路保護(hù)功能。該器件適用于驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背N溝道MOSFET，以模擬理想二極管整流器，并提供電源路徑的ON/OFF控制。

2. 關(guān)鍵特性

• ?AEC-Q100 認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用，環(huán)境溫度范圍為-40°C至+125°C。
• ?寬輸入范圍?：支持3 V至65 V的輸入電壓范圍，適用于12 V和24 V汽車電池供電的ECU。
• ?反向輸入保護(hù)?：可承受低至-65 V的負(fù)電源電壓。
• ?理想二極管操作?：具有10.5 mV的A到C正向電壓降調(diào)節(jié)。
• ?快速響應(yīng)?：反向檢測(cè)閾值為-10.5 mV，響應(yīng)時(shí)間為0.5 μs。
• ?低功率模式?：SLEEP模式下電流僅為6 μA，關(guān)斷模式下電流為2.5 μA。
• ?短路保護(hù)?：輸出短路保護(hù)，MOSFET鎖定關(guān)閉狀態(tài)。
• ?可調(diào)整保護(hù)?：過壓和欠壓保護(hù)可調(diào)。

3. 電氣規(guī)格

• ?工作結(jié)溫?：-40°C至150°C。
• ?供電電壓?：3 V至65 V。
• ?啟用閾值電壓?：EN引腳啟用閾值電壓為0.8 V至1.05 V，關(guān)斷閾值電壓為0.41 V至0.7 V。
• ?過壓/欠壓保護(hù)?：過壓保護(hù)閾值可調(diào)，欠壓保護(hù)閾值可調(diào)。
• ?短路保護(hù)?：短路保護(hù)閾值默認(rèn)為50 mV，可通過外部電阻調(diào)整。

4. 功能描述

• ?雙柵極控制?：DGATE用于控制理想二極管階段的MOSFET，HGATE用于控制負(fù)載斷開開關(guān)階段的MOSFET。
• ?電荷泵?：為外部N溝道MOSFET提供驅(qū)動(dòng)電壓。
• ?短路保護(hù)?：監(jiān)測(cè)外部MOSFET的VDS電壓，并在超過閾值時(shí)關(guān)閉HGATE，同時(shí)FLT引腳拉低。
• ?過壓/欠壓保護(hù)?：通過調(diào)整SW、OV和UVLO引腳的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)來設(shè)置過壓和欠壓閾值。
• ?SLEEP模式?：在SLEEP引腳拉低時(shí)進(jìn)入低功耗模式，內(nèi)部電荷泵和柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)閉，但提供內(nèi)部旁路路徑以維持有限電流的輸出電壓。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車電池保護(hù)
• ADAS域控制器
• 信息娛樂和集群系統(tǒng)
• 汽車外部放大器
• 冗余電源的主動(dòng)ORing

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：24引腳VQFN封裝。
• ?封裝尺寸?：4 mm × 4 mm。

7. 文檔與支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)，包括規(guī)格、應(yīng)用信息、布局指南等。
• 可通過TI的E2E?支持論壇獲取設(shè)計(jì)幫助和快速驗(yàn)證答案。