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LM74900-Q1 帶斷路器、欠壓和過壓保護以及故障輸出的汽車級理想二極管數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-07 14:15 ? 次閱讀

LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制以及過流和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中具有第二個 MOSFET,該器件允許使用 HGATE 控制在發(fā)生過流和過壓事件時進行負載斷開(ON/OFF 控制)。該器件具有集成的電流感應(yīng)放大器,可通過可調(diào)節(jié)的過流和短路閾值提供精確的電流監(jiān)控。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護功能。該器件具有 SLEEP 模式,可實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 (6 μA),同時在車輛處于停車狀態(tài)時為始終開啟的負載提供刷新電流。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65 V。
*附件:lm74900-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應(yīng)用
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護
  • 在共漏極配置中驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
  • 低反向檢測閾值 (–10.5 mV),具有快速關(guān)斷響應(yīng) (0.5 μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)過流和短路保護
  • 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 (IMON)
  • 可調(diào)的過壓和欠壓保護
  • 2.5μA 的低關(guān)斷電流 (EN=Low)
  • 具有 6μA 電流的睡眠模式(EN=高,睡眠=低)
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM74900-Q1是一款適用于汽車應(yīng)用的理想二極管控制器,集成了電路斷路器、欠壓和過壓保護功能,并具有故障輸出。它驅(qū)動外部背對背N溝道MOSFET,在共漏配置下模擬理想二極管整流器,同時提供電源路徑的通斷控制。

2. 關(guān)鍵特性

  • ?寬輸入范圍?:3V至65V,適用于12V和24V汽車電池供電的ECU。
  • ?反向輸入保護?:可承受并保護負載免受低至-65V的負電源電壓。
  • ?理想二極管操作?:正向電壓降調(diào)節(jié)至10.5mV,反向檢測閾值為-10.5mV,快速關(guān)斷響應(yīng)時間為0.5μs。
  • ?過流和短路保護?:可調(diào)過流和短路保護閾值,模擬電路斷路器功能。
  • ?過壓和欠壓保護?:可調(diào)過壓和欠壓保護閾值,確保系統(tǒng)免受電壓瞬態(tài)事件的影響。
  • ?低功耗模式?:SLEEP模式下電流消耗僅為6μA,關(guān)機模式下電流消耗低至2.5μA。
  • ?小封裝?:24引腳VQFN封裝,節(jié)省空間。

3. 功能描述

  • ?雙門控輸出?:DGATE和HGATE兩個獨立的門控輸出,分別控制背對背MOSFET,實現(xiàn)反向電池保護和負載斷開功能。
  • ?電荷泵?:為外部N溝道MOSFET提供必要的柵極驅(qū)動電壓。
  • ?模擬電流監(jiān)控?:提供準確的電流監(jiān)控輸出(IMON),具有10%的精度。
  • ?故障輸出?:FLT引腳在過流、短路、過壓或欠壓事件時輸出低電平故障信號。
  • ?可配置的重試和鎖存行為?:通過TMR引腳配置電路斷路器的自動重試或鎖存關(guān)閉行為。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?汽車電池保護?:ADAS域控制器、信息娛樂和儀表集群、汽車音頻外部放大器。
  • ?冗余電源ORing?:提高電源系統(tǒng)的可靠性和可用性。

5. 電氣特性

  • ?工作結(jié)溫范圍?:-40°C至+125°C。
  • ?供電電壓?:3V至65V。
  • ?DGATE和HGATE柵極驅(qū)動電壓?:最高可達14.5V。
  • ?過流保護閾值?:可調(diào),通過ILIM引腳設(shè)置。
  • ?短路保護閾值?:默認為20mV,可通過ISCP引腳調(diào)整。

6. 熱特性

  • ?熱阻?:θJA為44°C/W,θJC(top)為38.3°C/W。

7. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:24引腳VQFN,尺寸為4.00mm × 4.00mm。

8. 應(yīng)用與實現(xiàn)

  • ?典型應(yīng)用電路?:提供了12V反向電池保護的典型應(yīng)用電路,包括設(shè)計要求和詳細設(shè)計步驟。
  • ?布局指南?:提供了PCB布局指南,以確保最佳性能和可靠性。
  • ?電源推薦?:建議使用旁路電容來穩(wěn)定輸入和輸出電壓。

9. 文檔與支持

  • ?數(shù)據(jù)手冊?:提供了詳細的電氣特性、功能描述、應(yīng)用信息和封裝信息等。
  • ?支持資源?:包括TI E2E?支持論壇,提供快速驗證答案和設(shè)計幫助。
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