Texas Instrument LM74912-Q1理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背N溝道MOSFET。實現(xiàn)此功能是為了模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器，并具有過壓、欠壓和輸出短路保護。3V至65V寬輸入電源支持保護和控制12V和24V汽車電池供電ECU。該器件可以保護負載并承受低至-65V負電源電壓。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第一個MOSFET以取代肖特基二極管，實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。該器件在電源路徑中設(shè)有第二個MOSFET，在過流和過壓事件時，可通過HGATE控制實現(xiàn)負載斷開（開/關(guān)控制）。該器件具有集成電流檢測放大器，可提供基于外部MOSFET VDS檢測的短路保護以及可調(diào)電流限制。當(dāng)輸出端檢測到短路情況時，器件會鎖斷負載斷開MOSFET。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護功能。該器件具有睡眠模式，可實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 (6μA)，并在車輛處于停車狀態(tài)時為始終開啟的負載提供刷新電流。Texas Instruments LM74912-Q1最大額定電壓為65V。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LM74912-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準
  • 設(shè)備溫度等級1（-40°C至+125°C環(huán)境工作溫度范圍）
• 支持功能安全
  • 來輔助功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
• 3V 到 65V 的輸入范圍
• 反向輸入保護低至-65V
• 以共漏極配置驅(qū)動外部背靠背N溝道MOSFET
• 在理想二極管操作下，可實現(xiàn)10.5mV從A至C的正向壓降調(diào)節(jié)
• 低反向檢測閾值 (-10.5mV) 和快速響應(yīng) (0.5μs)
• 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流：20mA
• 峰值DGATE關(guān)斷電流：2.6A
• 可調(diào)過壓和欠壓保護
• MOSFET閉鎖狀態(tài)下輸出短路保護
• 超低功耗模式下關(guān)斷電流為2.5μA（EN=低）
• 睡眠模式下電流為6μA（EN=高，SLEEP=低）
• 采用合適的瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管，符合汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用4mm × 4mm 24引腳VQFN封裝

應(yīng)用

• 汽車電池保護
  • ADAS域控制器
  • 信息娛樂與儀表板
  • 汽車外部放大器
• 用于冗余電源的有源ORing

功能框圖

以下是LM74912-Q1理想二極管控制器的全文總結(jié)：

?1. 產(chǎn)品概述?

• LM74912-Q1是一款汽車級理想二極管控制器，用于驅(qū)動外部背對背N溝道MOSFET，模擬理想二極管整流器功能。
• 關(guān)鍵特性：
  • 3V至65V寬輸入范圍，支持12V/24V汽車電池系統(tǒng)
  • 可承受-65V反向輸入電壓
  • 集成過壓、欠壓和短路保護
  • 睡眠模式電流低至6μA，關(guān)斷模式2.5μA
  • AEC-Q100 Grade 1認證（-40°C至+125°C）

?2. 核心功能?

• ?理想二極管控制?：通過DGATE引腳驅(qū)動MOSFET Q1，實現(xiàn)10.5mV正向壓降調(diào)節(jié)和0.5μs快速反向阻斷
• ?負載斷開控制?：通過HGATE引腳驅(qū)動MOSFET Q2，支持過壓/欠壓保護（可調(diào)閾值）
• ?短路保護?：50mV默認閾值（可通過RSET/RISCP調(diào)節(jié)），響應(yīng)時間2μs
• ?低功耗模式?：
  • SLEEP模式：保持6μA電流同時為常開負載供電
  • 關(guān)斷模式：僅消耗2.5μA電流

?3. 典型應(yīng)用?

• 汽車電池保護系統(tǒng)（ADAS/信息娛樂/外部放大器）
• 冗余電源主動ORing
• 支持ISO 7637/ISO 16750-2/LV124等汽車EMC標準

?4. 設(shè)計要點?

• ?保護電路?：需配置TVS二極管（如SMBJ33CA）處理瞬態(tài)電壓
• ?布局建議?：
  • 縮短DGATE/HGATE與MOSFET的走線
  • 裸露焊盤（RTN）必須懸空
  • 輸入/輸出端需最小化寄生電感
• ?關(guān)鍵參數(shù)計算?：
  • 過壓閾值：R1/R2/R3/R4電阻分壓網(wǎng)絡(luò)
  • 短路電流：I_SCP=50mV/R_DS(ON)
  • 保持電容：C≥I_LOAD×t_drop/ΔV

?5. 性能數(shù)據(jù)?

• 工作結(jié)溫：-40°C至150°C
• 電荷泵驅(qū)動能力：14V（HGATE/DGATE）
• 故障響應(yīng)時間：
  • 過壓關(guān)斷延遲：7μs
  • 短路保護延遲：4.5μs

?6. 封裝信息?

• 24引腳VQFN封裝（4mm×4mm）
• 熱阻參數(shù)：θJA=44°C/W

該器件通過雙MOSFET架構(gòu)和多重保護機制，為汽車電子控制單元（ECU）提供高可靠性電源路徑保護解決方案。