UCC27211A-Q1 器件驅(qū)動器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動器;但是，該設(shè)備提供了幾項重要的性能改進。

峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 3.7A 拉電流和 4.5A 灌電流，因此允許在通過 MOSFET 的米勒平臺轉(zhuǎn)換期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動大功率 MOSFET。輸入結(jié)構(gòu)可以直接處理 –10VDC，這提高了穩(wěn)健性，還允許直接連接到柵極驅(qū)動變壓器，而無需使用整流二極管。輸入也獨立于電源電壓，最大額定電壓為 20V。
*附件：ucc27211a-q1.pdf

UCC27211A-Q1（HS 引腳）的開關(guān)節(jié)點可以處理最大 –（24 - VDD） V，從而可以保護高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負電壓的影響。UCC27211A-Q1（TTL 輸入）具有更高的滯后性，允許連接到具有增強抗噪能力的模擬或數(shù)字 PWM 控制器。

低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器由獨立控制，并在導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 4ns。片內(nèi) 120V 額定電壓的自舉二極管消除了外部分立二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均提供欠壓鎖定，提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并在驅(qū)動電壓低于指定閾值時強制輸出為低電平。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應(yīng)用：器件溫度等級 1
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• 通過獨立輸入在高側(cè)和低側(cè)配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• 最大啟動電壓 120V DC
• 3.7A 拉電流、4.5A 灌電流輸出電流
• 輸入引腳可以承受 –10V 至 +20V，并且與電源電壓范圍無關(guān)
• TTL 兼容輸入
• 8V 至 17V VDD 工作范圍，（最大 20V ABS）
• 7.2ns 上升時間，5.5ns 下降時間，1000pF 負載
• 快速傳播延遲時間（典型值為 20ns）
• 4ns 延遲匹配
• 用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的對稱欠壓鎖定
• 采用行業(yè)標準的 SO-PowerPAD SOIC-8 封裝

參數(shù)

方框圖

概述

UCC1A-Q1是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的0V、.A/4.5A半橋驅(qū)動器，具有AEC-Q0認證，適用于-0°C至+°C的結(jié)溫范圍。該驅(qū)動器能夠驅(qū)動兩個N溝道MOSFET，具有高側(cè)和低側(cè)獨立輸入、V至V的VDD操作范圍以及快速傳播延遲等特點。

主要特性

• ?AEC-Q認證?：專為汽車應(yīng)用設(shè)計，滿足嚴格的可靠性和環(huán)境要求。
• ?寬結(jié)溫范圍?：-°C至+0°C，適用于各種汽車工作環(huán)境。
• ?高側(cè)和低側(cè)獨立輸入?：提供更大的輸入控制靈活性。
• ?高電壓支持?：最大自舉電壓可達0V DC，適合高壓應(yīng)用。
• ?高電流能力?：.A源電流和4.5A灌電流，適合驅(qū)動大功率MOSFET。
• ?快速傳播延遲?：典型值為0ns，確?？焖夙憫?yīng)。
• ?低電平輸入兼容?：輸入引腳可耐受-0V至+V，獨立于電源電壓范圍。
• ?TTL兼容輸入?：具有增加的滯回特性，增強噪聲免疫能力。

功能描述

輸入階段

• 輸入阻抗為kΩ，輸入電容約為4pF。
• TTL兼容邏輯電平，高電平閾值為2.3V，低電平閾值為1.6V。

欠壓鎖定（UVLO）

• VDD和HB引腳均具有UVLO保護功能，確保在電壓不足時關(guān)斷輸出。
• VDD的UVLO閾值為7V，具有0.5V的滯回。
• HB的UVLO閾值為6.7V，具有1.1V的滯回。

電平移位

• 電平移位電路將高側(cè)輸入信號轉(zhuǎn)換為相對于HS引腳的HO輸出信號，確保良好的延遲匹配。

自舉二極管

• 內(nèi)置0V額定自舉二極管，無需外部離散二極管。

輸出階段

• 高側(cè)和低側(cè)輸出階段均具有高速、低電阻和高峰值電流能力。
• 峰值源電流為3.7A，峰值灌電流為.A。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器（OBC）。
• 兩輪和三輪電動車牽引驅(qū)動和電池組。
• 電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）。
• 無線充電。
• 智能玻璃模塊。

設(shè)計指南

電源去耦

• 在VDD和HB引腳附近放置旁路電容，以減小電源噪聲和干擾。

輸入信號處理

• 確保輸入信號源具有低阻抗，以避免噪聲影響。
• 在必要時，在輸入引腳和地之間添加旁路電容以濾除噪聲。

PCB布局

• 將驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET放置，以減小環(huán)路面積和寄生電感。
• 注意GND和HS節(jié)點的布線，避免在高電流路徑中產(chǎn)生噪聲。
• 使用寬跡線（至mils）連接LO和HO引腳及其相關(guān)GND或HS引腳。

熱考慮

• 選擇具有適當(dāng)熱性能的封裝，并確保良好的散熱設(shè)計。