Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達100V。高性能雙通道升壓直流-直流開關(guān)穩(wěn)壓器控制器簡化了應(yīng)用設(shè)計,與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)解決方案相比,無需保護二極管或額外外部元件。內(nèi)部智能自舉開關(guān)可在死區(qū)時間停止將增強型引腳過度充電至SW引腳和高側(cè)驅(qū)動器,從而保護頂部GaN FET的柵極。LTC7892的死區(qū)時間可選擇通過外部電阻器進行優(yōu)化,以實現(xiàn)裕度調(diào)節(jié)或定制應(yīng)用,從而實現(xiàn)更高效率并實現(xiàn)高頻工作。adi LTC7892的柵極驅(qū)動電壓可在4V至5.5V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié),以優(yōu)化性能,支持不同的GaN場效應(yīng)晶體管甚至邏輯電平MOSFET。從升壓轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器輸出偏置時,LTC7892可在低至1V的輸入電源下工作。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- GaN驅(qū)動技術(shù)針對GaN場效應(yīng)晶體管進行了全面優(yōu)化
- 輸出電壓高達100 V
- 寬V
IN范圍:4V至60V,啟動后工作電壓低至1V - 無需捕獲、夾鉗或自舉二極管
- 內(nèi)部智能自舉開關(guān)可防止高側(cè)驅(qū)動器電源過度充電
- 電阻器可調(diào)死區(qū)時間
- 精確的可調(diào)驅(qū)動器電壓和UVLO
- 低工作I
Q:15μA - 分離輸出柵極驅(qū)動器,可實現(xiàn)可調(diào)導(dǎo)通和關(guān)斷驅(qū)動器強度
- 可編程頻率(100 kHz至3 MHz)
- 可同步頻率(100kHz至3MHz)
- 擴頻調(diào)頻
- 40引腳(6mmx6mm)側(cè)面可濕QFN封裝
- 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準
應(yīng)用
- 汽車和工業(yè)電源系統(tǒng)
- 軍用航空電子設(shè)備和醫(yī)療系統(tǒng)
- 電信電源系統(tǒng)
典型應(yīng)用

性能圖表

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