5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導體到基站系統(tǒng)架構再到網(wǎng)絡拓撲的無線基礎設施。

在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結構非常低，與LDMOS 相當，遠低于碳化硅基氮化鎵。與此同時，對于高功率射頻應用，氮化鎵的用例已經(jīng)擴展到分立晶體管以外。隨著氮化鎵向商用4G LTE 無線基礎設施的擴展，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，為氮化鎵順利進入MMIC 市場提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設備集成，滿足新一代5G 系統(tǒng)的需求。

同時，隨著集成射頻、模擬和數(shù)字電路的射頻SoC 不斷發(fā)展，數(shù)據(jù)處理速度發(fā)生了質(zhì)的飛躍（涵蓋極寬頻率范圍），可利用先進的直接采樣功能。在電路板層面上，這消除了與特定頻率計劃相關的離散數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求，從而可實現(xiàn)具備數(shù)字靈活性和更多IO 的小型系統(tǒng)。

在網(wǎng)絡節(jié)點層面上，5G 數(shù)據(jù)吞吐量要求重新審視了負責卸載和路由5G 數(shù)據(jù)洪流的光學傳輸技術。通過全面了解從基站到網(wǎng)絡光纖的網(wǎng)絡（從射頻到光），系統(tǒng)設計人員可以更好地了解這些技術交叉出現(xiàn)時遇到的挑戰(zhàn)和機遇。

在這里，我們將評估用于集成多功能MMIC 的硅基氮化鎵的優(yōu)勢、射頻片上系統(tǒng)(SOC) 的優(yōu)勢以及影響5G 無線基礎設施發(fā)展的先進光通信技術架構。

氮化鎵和MMIC 的創(chuàng)新

由于大規(guī)模MIMO 天線配置的密度很大（單個5G 基站中可擴展超過256 個發(fā)射和接收元件），可用的PCB 空間就極為珍貴，特別是在較高頻率下。為了應對這一挑戰(zhàn)，目前我們正在用多功能MMIC 取代5G 基站設計中的分立IC 和單功能MMIC。

除了通過多功能集成來節(jié)省空間外，還可通過降低設計復雜度，減少個別芯片封裝、測試和裝配的工作量來降低成本?？赏ㄟ^減少接口數(shù)量提高整體機械可靠性。

上述背景為硅基氮化鎵成功進入商用半導體市場提供了良好的時機。由于硅基氮化鎵可向8 英寸和12 英寸硅晶圓擴展，因此可實現(xiàn)碳化硅基氮化鎵無法企及的成本效益以及LDMOS 無法達到的功率密度- 每單位面積的功率提高4 至6 倍。

為兼顧這兩個關鍵屬性，硅基氮化鎵進一步突出了其卓越性能，即在芯片級集成強大的功能，為打造超緊湊型MMIC 提供額外的空間優(yōu)化。其硅基底支持氮化鎵器件和基于CMOS 的器件在單個芯片上同質(zhì)集成- 碳化硅基氮化鎵由于工藝限制而無法提供該功能。這為多功能數(shù)字輔助射頻MMIC 集成片上數(shù)字控制和校準以及片上配電網(wǎng)絡等奠定了基礎。

射頻SoC 處理效率

對于5G 基站基礎設施來說，可通過基于硅基氮化鎵的多功能MMIC 實現(xiàn)集成優(yōu)勢并減少硬件內(nèi)容，而商業(yè)市場上新興的射頻SoC 對此做出了進一步的補充。射頻SoC集成了多個千兆位采樣射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，可在很寬的頻率范圍內(nèi)進行高速數(shù)據(jù)處理，從而簡化了數(shù)據(jù)流水線，并為增加射頻通道數(shù)量提供了可擴展的途徑。

采用傳統(tǒng)的超外差接收器架構時，信號必須先降頻為基帶信號，這需要一個混頻器和附加電路。2.6 GHz 射頻信號(4G LTE) 需要下變頻到MHz 級頻率范圍，這樣一來，傳統(tǒng)的ADC 便可以較低的速度進行采樣。

要將所有的頻率信息放入第一奈奎斯特頻帶，您需要以3 倍的射頻頻率進行采樣。為此，2.6 GHz 信號需要以大約每秒8 千兆次的采樣速率進行采樣，遠遠超過傳統(tǒng)ADC 的能力，傳統(tǒng)ADC 的采樣速率要低得多，在400 MHz 頻率范圍內(nèi)通常為每秒3 千兆次采樣。

新一代射頻SoC 正竭力克服這一障礙，它能夠以高達每秒56 千兆次的采樣速率對信號進行采樣，從而可在極高射頻頻率下進行直接射頻采樣，當然也可以選擇降低采樣速率。這種數(shù)字采樣功能消除了對傳統(tǒng)超外差接收器和離散數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求，同時也消除了超外差采樣所需的激勵器技術的需求。

射頻SoC 可以將大量通道封裝到極小的器件中。從功能上看，可將4 到16 個通道裝入一個約12mm X 12mm 的IC 中，而無需通過多個電路板卡實現(xiàn)相同的目的- 這就類似于從老式旋轉(zhuǎn)電話發(fā)展到智能手機后，不但減小了體積，還增強了IO 功能。在確立發(fā)展7nm 間距射頻CMOS 技術的明確方向后，通道密度將只能繼續(xù)增大，功耗優(yōu)化將繼續(xù)得到改善。

展望未來，射頻SoC 所實現(xiàn)信號的失真情況將越來越少- 先前無法糾正的模糊和不完善之處將很容易進行糾正。在系統(tǒng)級，我們能夠再次見證多功能集成和減少組件數(shù)帶來的優(yōu)勢如何為經(jīng)濟實惠的5G 基礎設施顯著節(jié)省空間、降低功耗和壓縮成本。

另外值得注意的是，射頻SoC 在相干波束成形中起到關鍵作用，這是一種用于先進雷達系統(tǒng)的有源相控陣天線技術，可以提高6 Ghz 以下無線基站的性能。憑借相干波束成形，大規(guī)模MIMO 陣列中的每個發(fā)射和接收元件可與其他元件協(xié)同工作，以動態(tài)地增加用戶方向的發(fā)射功率和接收器靈敏度，從而減輕來自其他源的噪聲、干擾和反射。系統(tǒng)設計人員可將硅基氮化鎵、異類微波集成電路(HMIC) 和相干波束成形技術相結合，在滿足大規(guī)模MIMO 陣列緊湊尺寸約束的前提下實現(xiàn)高水平能效。

從射頻到光

無線網(wǎng)絡運營商和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商在順應5G 發(fā)展的新形勢下目標一致- 他們需要盡可能快速且經(jīng)濟高效地移動數(shù)據(jù)。隨著射頻和光通信技術的并行發(fā)展開始相互交融，我們將更清楚地了解一個技術領域的創(chuàng)新如何影響其他領域的發(fā)展。

射頻基站實現(xiàn)的更快數(shù)據(jù)處理和吞吐速度同樣反映在從100G 到400G 光收發(fā)器模塊的過渡中，特別是在端口密度必須繼續(xù)增加以滿足數(shù)據(jù)中心對不斷增長的數(shù)據(jù)量的需求。

實現(xiàn)更高集成度和減少組件數(shù)量是大勢所趨，這是向400G 模塊發(fā)展的關鍵因素，其中單 λ（又稱單波長）PAM-4 調(diào)制方案的出現(xiàn)正在轉(zhuǎn)變模塊架構。對于100G 收發(fā)器，單 λPAM-4 技術可將激光器數(shù)量減少為一個，并消除了對光復用的需求。對于400G 實施方案，僅需四個光學組件，對數(shù)據(jù)中心運營商而言，這是一個通過極其緊湊且節(jié)能的模塊降低其成本的重大機遇。超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的這項創(chuàng)新將在不久后推廣到無線網(wǎng)絡節(jié)點。

在半導體層面上，硅光子技術的不斷進步將改變新一代多功能MMIC 的組成，從而利用已確立的CMOS 工藝通過商業(yè)規(guī)模的制造技術在晶圓基底上一次生產(chǎn)數(shù)千個光學元件。憑借將基于氮化鎵的射頻器件與光學器件集成在單一硅片上的新功能（以極具吸引力的成本結構實現(xiàn)），可減少射頻元件和光學元件之間接口，從而通過網(wǎng)絡輕松實現(xiàn)更清晰、更快速的信號。

與此同時，硅基氮化鎵技術、多功能MMIC 和射頻SoC 的不斷發(fā)展將推動射頻和微波行業(yè)朝著實現(xiàn)更卓越、更經(jīng)濟高效的集成無線系統(tǒng)基礎設施的道路邁進，最終完成5G 連接的目標。