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AS32S601 芯片 ADC 模塊交流耦合測試:技術(shù)要點(diǎn)與實(shí)踐

安芯 ? 來源:jf_29981791 ? 作者:jf_29981791 ? 2025-08-06 09:39 ? 次閱讀
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一、概述

(一)芯片簡介

AS32S601是廈門國科安芯科技有限公司推出的一款高性能32位RISC-V指令集MCU產(chǎn)品,具有豐富的Flash容量,支持ASIL-B等級(jí)的功能安全I(xiàn)SO26262標(biāo)準(zhǔn),具備高安全、低失效、多IO、低成本等諸多優(yōu)勢,工作頻率最高可達(dá)180MHz,工作輸入電壓范圍為2.7V~5.5V,休眠電流≤200uA(可喚醒),典型工作電流≤50mA,符合AEC-Q100grade1認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)(汽車級(jí)),還滿足企業(yè)宇航級(jí)的SEU(單粒子效應(yīng))和SEL(單粒子鎖定)相關(guān)指標(biāo)要求,采用LQFP144封裝工藝。

(二)ADC模塊概述

在AS32S601中共有3個(gè)ADC模塊,其ADC采用逐次逼近型模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,分辨率為12bit,最多支持16路外部通道。該ADC支持單次、連續(xù)、掃描或間接轉(zhuǎn)換等多種工作模式;具備模擬監(jiān)控器功能,可監(jiān)測輸入電壓是否超過用戶設(shè)定的電壓范圍,并能在超出范圍時(shí)發(fā)送中斷。ADC轉(zhuǎn)換結(jié)果可按照左對(duì)齊或右對(duì)齊的方式存儲(chǔ)在16位數(shù)據(jù)寄存器中。

二、測試目的

本次測試旨在通過交流耦合電路對(duì)AS32S601的ADC模塊進(jìn)行性能評(píng)估,確保其在交流信號(hào)輸入場景下,能夠準(zhǔn)確、穩(wěn)定地完成模數(shù)轉(zhuǎn)換任務(wù),為后續(xù)在音頻、高頻信號(hào)采集以及交流耦合數(shù)據(jù)鏈路等實(shí)際應(yīng)用場景中的可靠應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支撐。

三、交流耦合電路設(shè)計(jì)

(一)電路拓?fù)?/strong>

典型的交流耦合電路由電容(C)和電阻(R)組成,接在信號(hào)源與ADC輸入之間,具體連接方式為:信號(hào)源→[C]→[R]→ADC輸入,同時(shí)電容另一端接地。電容(C)建議選擇低ESR的陶瓷電容或薄膜電容,容量范圍在1μF10μF之間;電阻(R)需匹配ADC輸入阻抗,通常在50Ω10kΩ之間。

(二)參數(shù)計(jì)算

截止頻率(fc):它是信號(hào)衰減-3dB的頻率點(diǎn),計(jì)算公式為fc=1/(2πRC)。根據(jù)目標(biāo)頻段來確定合適的R和C值。

電容選擇:要確保容抗(XC=1/(2πfC))在目標(biāo)頻段遠(yuǎn)小于R。對(duì)于低頻信號(hào)(如音頻20Hz~20kHz),選用較大電容(≥1μF);對(duì)于高頻信號(hào)(>1MHz),選用小電容(如0.1μF),同時(shí)注意寄生電感的影響。

電阻選擇:需大于信號(hào)源輸出阻抗,避免信號(hào)衰減;且要小于ADC輸入阻抗,防止電壓分壓。

四、測試步驟

(一)硬件連接

按照電路圖準(zhǔn)確連接信號(hào)源、耦合電路和ADC,確保各連接點(diǎn)接觸良好,無虛焊、短路等情況。

仔細(xì)核對(duì)信號(hào)源輸出阻抗與耦合電路的匹配情況,避免因阻抗不匹配導(dǎo)致信號(hào)傳輸異常。

認(rèn)真檢查ADC輸入范圍,確保所輸入的測試信號(hào)不會(huì)超出ADC的量程,防止損壞ADC模塊。

(二)信號(hào)輸入

測試信號(hào)可選擇正弦波和方波。正弦波的頻率應(yīng)覆蓋目標(biāo)頻段,如100Hz~10kHz,用于評(píng)估ADC在不同頻率下的轉(zhuǎn)換性能;方波則用于驗(yàn)證ADC的瞬態(tài)響應(yīng)能力,觀察其對(duì)信號(hào)突變的捕捉效果。

對(duì)幅值進(jìn)行合理設(shè)置,確保信號(hào)幅值在ADC量程內(nèi),例如±1V,避免因幅值過大或過小影響測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

(三)數(shù)據(jù)采集

根據(jù)ADC的性能參數(shù)和測試要求,合理配置ADC采樣率,應(yīng)滿足≥2倍信號(hào)最高頻率,遵循奈奎斯特準(zhǔn)則,以確保能夠準(zhǔn)確還原信號(hào)。

采集足夠數(shù)量的樣本,一般建議采集10個(gè)周期以上的數(shù)據(jù),以便后續(xù)進(jìn)行詳細(xì)的數(shù)據(jù)分析,提高測試結(jié)果的可靠性。

五、數(shù)據(jù)分析

(一)時(shí)域分析

波形完整性:仔細(xì)檢查采集到的信號(hào)波形,觀察是否存在失真現(xiàn)象,如電容是否導(dǎo)致相位延遲等情況,若波形出現(xiàn)失真,需進(jìn)一步分析原因并優(yōu)化電路或測試參數(shù)。

幅值衰減:對(duì)比輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的幅值,驗(yàn)證在截止頻率外的衰減情況是否符合預(yù)期,分析幅值衰減對(duì)ADC轉(zhuǎn)換精度的影響。

(二)頻域分析

FFT分析:運(yùn)用快速傅里葉變換(FFT)對(duì)采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行頻域變換,檢查信號(hào)頻譜是否純凈,是否存在諧波失真等異常情況。重點(diǎn)關(guān)注截止頻率處的-3dB衰減情況,驗(yàn)證交流耦合電路的頻率響應(yīng)特性是否符合設(shè)計(jì)要求。

THD(總諧波失真):計(jì)算基波與諧波的功率比,通過THD指標(biāo)評(píng)估ADC對(duì)信號(hào)的線性轉(zhuǎn)換能力,一般要求THD≤-60dB(0.1%),若超出該范圍,需深入分析原因并采取相應(yīng)措施進(jìn)行優(yōu)化。

(三)關(guān)鍵指標(biāo)

指標(biāo)計(jì)算公式/方法合格標(biāo)準(zhǔn)
截止頻率誤差f c實(shí)測-fc理論≤±10%
幅值平坦度通帶內(nèi)波動(dòng)(如100Hz~1kHz)≤±0.5dB
THDFFT分析前5次諧波≤-60dB(0.1%)

六、常見問題與解決

(一)信號(hào)幅值衰減過大

原因可能是電容容值過小,導(dǎo)致容抗(XC)過大;或者是電阻選擇不當(dāng),與ADC阻抗不匹配。

解決方法為增大電容值或減小電阻值,同時(shí)需重新檢查信號(hào)源輸出阻抗,確保其與耦合電路良好匹配。

(二)低頻信號(hào)失真

低頻信號(hào)失真往往是由于截止頻率過高,通常是電容值太小所致。

針對(duì)該問題,應(yīng)重新計(jì)算截止頻率,根據(jù)實(shí)際需求選用更大容量的電容,以降低截止頻率,改善低頻信號(hào)的傳輸特性。

(三)高頻噪聲增加

高頻噪聲增加可能是電容寄生電感引起的諧振現(xiàn)象。

解決辦法是選用高頻特性優(yōu)良的電容,如NP0陶瓷電容,其具有較低的寄生電感和介質(zhì)損耗,能夠在高頻段保持較好的性能。

七、結(jié)論

通過本次基于AS32S601的ADC模塊交流耦合測試,全面評(píng)估其在交流信號(hào)輸入場景下的轉(zhuǎn)換性能。在測試過程中,嚴(yán)格按照規(guī)范設(shè)計(jì)交流耦合電路,合理設(shè)置測試信號(hào)參數(shù),運(yùn)用科學(xué)的數(shù)據(jù)分析方法對(duì)采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行深入挖掘。

附錄

電路圖示例

[信號(hào)源]---[C]---[R]---[ADC]

|

GND

參考元件選型

參數(shù)推薦型號(hào)/值
電容1μF陶瓷電容(X7R)
電阻1kΩ±1%薄膜電阻
信號(hào)源高精度函數(shù)發(fā)生器

審核編輯 黃宇

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