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CSD97376Q4M 30 V 20 A SON 3.5 x 4.5 mm 同步降壓 NexFET? 功率級數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-08-07 15:58 ? 次閱讀
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CSD97376Q4M NexFET? 功率級是一種高度優(yōu)化的設計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動 IC 和 NexFET 技術,以完成功率級開關功能。該驅(qū)動 IC 具有內(nèi)置可選二極管仿真功能,可實現(xiàn) DCM作以提高輕負載效率。此外,該驅(qū)動 IC 支持 ULQ 模式,可實現(xiàn) Windows? 8 的連接待機。當 PWM 輸入處于三態(tài)時,靜態(tài)電流降低至 130 μA,并立即響應。當 SKIP# 保持在三態(tài)時,電流降低至 8 μA(通常需要 20 μs 才能恢復開關)。這種組合在小型 3.5 mm × 4.5 mm 外形封裝中產(chǎn)生了大電流、高效率高速開關器件。此外,PCB封裝也經(jīng)過優(yōu)化,有助于縮短設計時間并簡化整個系統(tǒng)設計的完成。
*附件:csd97376q4m.pdf

特性

  • 15 A 時系統(tǒng)效率為 90%
  • 最大額定連續(xù)電流 20 A,峰值 45 A
  • 高頻工作(高達 2 MHz)
  • 高密度 SON 3.5 mm x 4.5 mm 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 超低靜態(tài) (ULQ) 電流模式
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號
  • 帶 FCCM 的二極管仿真模式
  • 輸入電壓高達 24 V
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉二極管
  • 擊穿保護
  • 符合 RoHS 標準 – 無鉛端子電鍍
  • 無鹵素

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
CSD97376Q4M是一款高度集成的同步降壓功率級模塊,結(jié)合了驅(qū)動IC和NexFET技術,適用于高功率密度應用。其核心特點包括:

  • ?高效能?:15A負載下系統(tǒng)效率達90%,支持最高24V輸入電壓及2MHz開關頻率。
  • ?緊湊設計?:采用3.5mm×4.5mm SON封裝,優(yōu)化PCB布局以降低寄生電感。
  • ?智能模式?:支持二極管仿真模式(DCM)和強制連續(xù)導通模式(FCCM),輕載時可通過SKIP#引腳啟用超低靜態(tài)電流(ULQ)模式(最低8μA)。

?2. 關鍵特性?

  • ?電氣性能?:連續(xù)電流20A(峰值45A),集成自舉二極管,兼容3.3V/5V PWM信號。
  • ?保護功能?:欠壓鎖定(UVLO)、三態(tài)PWM輸入防直通保護。
  • ?熱管理?:典型熱阻2.5°C/W(結(jié)至板),支持高環(huán)境溫度運行(-40°C至150°C)。

?3. 應用場景?

?4. 設計支持?

  • ?功率損耗曲線?:提供12V輸入、1.8V輸出條件下的損耗數(shù)據(jù)(如10A負載時典型損耗2.1W)。
  • ? 安全操作區(qū)(SOA) ?:基于PCB布局(6層1oz銅)的溫升與氣流要求圖表。
  • ?標準化調(diào)整曲線?:支持根據(jù)開關頻率、電感值等參數(shù)計算系統(tǒng)損耗和溫度補償。

?5. 封裝與生產(chǎn)信息?

  • ?封裝類型?:8引腳VSON-CLIP(DPC),卷帶包裝(2500片/卷)。
  • ?環(huán)保認證?:符合RoHS標準,無鹵素。

?6. 文檔與支持?

  • 包含詳細引腳定義、電氣特性表及典型性能曲線。
  • 提供PCB布局建議(如輸入電容就近放置以降低噪聲)。

該文檔為工程師提供了從選型到系統(tǒng)設計的全面參考,強調(diào)通過優(yōu)化布局實現(xiàn)高效散熱和電氣性能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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